合肥晶合集成电路股份有限公司王磊获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121389543B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971065.5，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置是由王磊;汪文婷;邓少鹏;刘波设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置在说明书摘要公布了：本发明属于半导体器件仿真技术领域，特别涉及一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置；方法包括：通过仿真软件搭建CISBDTI器件结构；导入硅数据，并通过SIMS浓度的真实值作为参考，对器件结构中的离子分布曲线进行校准，得到浓度分布校准的器件仿真模型；将浓度分布校准的器件仿真模型的表面高介电常数层替换为电极层；将实际量测的器件的高介电常数层的电势导入电极层中，完成器件表面电势校准。本发明通过将表面高介电常数层直接替换为电极层，使得其电势可以直接被定为实际量测的高介电常数层的电势，避免多次采集，不断增加和调整正负电荷，以不断调整HighK材质的电势值的过程，显著缩短了校准过程。
本发明授权一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置在权利要求书中公布了：1.一种快速校准BDTI表面电势的方法，其特征在于，包括： 通过仿真软件搭建CISBDTI器件结构； 导入硅数据，并通过SIMS浓度的真实值作为参考，对CISBDTI器件结构中的离子分布曲线进行校准，得到浓度分布校准的CISBDTI器件仿真模型； 将浓度分布校准的CISBDTI器件仿真模型的表面高介电常数层替换为电极层； 将实际量测的CISBDTI器件的高介电常数层的电势导入电极层中，完成CISBDTI器件表面电势校准。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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