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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398076B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971832.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片，通过设置第一P型阱区形成于顶部外延区中，形成于第一P型阱区上的P型重掺杂区，相邻的第二P型阱区之间由所顶部外延区隔离，至少所述第二P型阱区以P型重掺杂区对称设置，并且第二P型阱区的深度小于第一P型阱区的深度，使得器件内部的JFET区可以具有更高掺杂浓度的施主掺杂，在保证器件的BVDSS理想的情况下能够有效降低导通电阻，提升器件的电流密度。

本发明授权改善BV和Ron的碳化硅功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种改善击穿电压和导通电阻的碳化硅功率器件，其特征在于，所述碳化硅功率器件包括： 碳化硅衬底和形成于所述碳化硅衬底正面的N型漂移区； 形成于所述N型漂移区上的顶部外延区； 形成于所述N型漂移区上，且形成于所述顶部外延区中的第一P型阱区； 形成于所述第一P型阱区上的P型重掺杂区； 多个形成于所述顶部外延区中的第二P型阱区，所述第二P型阱区的深度小于所述第一P型阱区的深度，相邻的所述第二P型阱区之间由所述顶部外延区隔离，至少两个所述第二P型阱区以所述P型重掺杂区对称设置； 多个形成于所述第二P型阱区上的N型重掺杂区；其中，所述N型重掺杂区位于所述第二P型阱区的凹槽内； 形成于所述顶部外延区和所述P型重掺杂区上的栅极介质层，所述栅极介质层覆盖所述第二P型阱区；相邻的所述第二P型阱区之间的顶部外延区为N型结型场效应管区，所述N型结型场效应管区的水平截面形状为十字形，所述第一P型阱区和所述P型重掺杂区位于所述N型结型场效应管区的交叉区域，N型结型场效应管区还形成于相邻的所述P型重掺杂区之间，所述N型结型场效应管区的四周被所述第二P型阱区和所述第一P型阱区包围形成PN结类超结柱结构； P型悬浮结，所述P型悬浮结位于所述N型漂移区与所述顶部外延区的界面区域，且通过所述第一P型阱区接地； 由所述栅极介质层包裹的栅极层； 覆盖于所述栅极介质层和所述P型重掺杂区的第一电极，所述第一电极电连接所述P型重掺杂区和所述N型重掺杂区； 形成于所述碳化硅衬底背面的第二电极。

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