合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利背照式图像传感器及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121398176B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202511948952.0,技术领域涉及:H10F39/12;该发明授权背照式图像传感器及其制备方法是由陈维邦设计研发完成,并于2025-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本背照式图像传感器及其制备方法在说明书摘要公布了:本公开涉及一种背照式图像传感器及其制备方法,涉及集成电路技术领域,包括:位于P型衬底背面的相互隔离的多个N型的光敏叠层;光敏叠层包括沿背离衬底背面的方向依次层叠的第一光敏层、第二光敏层及第三光敏层;第一光敏层包括沿平行于衬底背面的第一方向交替分布的第一光敏部、第二光敏部;第二光敏层包括沿第一方向交替分布的第三光敏部、第四光敏部;第三光敏部位于第一光敏部正上方且与相邻的两个第二光敏部相接;第三光敏层包括沿第一方向交替分布的第五光敏部、第六光敏部;第五光敏部位于第三光敏部正上方;第三光敏部与其相邻的两个第六光敏部相接。至少能够增加感光区域的电子浓度,提高BSI图像传感器的感光性能。
本发明授权背照式图像传感器及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种背照式图像传感器,其特征在于,包括P型衬底,以及位于所述P型衬底背面的相互隔离的多个光敏叠层; 所述光敏叠层包括沿背离所述衬底背面的方向依次层叠的第一光敏层、第二光敏层及第三光敏层; 所述第一光敏层包括沿平行于衬底背面的第一方向交替分布,均为N型且掺杂元素不同的第一光敏部、第二光敏部; 所述第二光敏层包括沿所述第一方向交替分布,均为N型且掺杂元素不同的第三光敏部、第四光敏部;所述第三光敏部位于所述第一光敏部正上方且与相邻的两个所述第二光敏部相接;所述第四光敏部位于所述第二光敏部正上方; 所述第三光敏层包括沿所述第一方向交替分布,均为N型且掺杂元素不同的第五光敏部、第六光敏部;所述第五光敏部位于所述第三光敏部正上方;所述第六光敏部位于所述第四光敏部正上方,所述第三光敏部与其相邻的两个第六光敏部相接; 所述第三光敏部被配置为:分别与其沿所述第一方向相邻的所述第四光敏部形成异质结,分别与其沿第二方向相邻的所述第一光敏部、所述第五光敏部形成异质结,分别与其相接的两个所述第二光敏部、两个所述第六光敏部形成电子通路。
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