合肥晶合集成电路股份有限公司刘琦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398180B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511982916.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权一种图像传感器及其制作方法是由刘琦;谢荣源;宋明明;张昭;温海龙设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种图像传感器及其制作方法，属于半导体技术领域，所述图像传感器包括：衬底；光电二极管，设置在所述衬底中，且所述光电二极管中设置有第一凹部；深沟槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电二极管之间，所述深沟槽隔离结构包括透光石墨烯层，所述透光石墨烯层与所述光电二极管贴合；光电响应区，在所述第一凹部中填充石墨烯层形成所述光电响应区，且沿着所述光电响应区的宽度方向，所述光电响应区的深度先增大后减小。通过本发明提供的一种图像传感器及其制作方法，可提高图像传感器的光响应范围和效率。
本发明授权一种图像传感器及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器，其特征在于，至少包括： 衬底； 光电二极管，设置在所述衬底中，且所述光电二极管中设置有第一凹部； 深沟槽隔离结构，设置在所述衬底中，且所述深沟槽隔离结构位于相邻的所述光电二极管之间，所述深沟槽隔离结构包括透光石墨烯层，所述透光石墨烯层与所述光电二极管贴合； 光电响应区，在所述第一凹部中填充石墨烯层形成所述光电响应区，且沿着所述光电响应区的宽度方向，所述光电响应区的深度先增大后减小；以及 光学调控结构，所述光学调控结构从所述光电二极管表面延伸至所述光电二极管中，所述光电响应区位于所述光学调控结构底部，所述光学调控结构包括透光石墨烯层，所述透光石墨烯层与所述光电二极管贴合。
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