合肥晶合集成电路股份有限公司余鑫获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种浅沟槽隔离结构的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121398567B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511971884.X，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权一种浅沟槽隔离结构的制作方法是由余鑫;彭长青;王坤;凌勇设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浅沟槽隔离结构的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种浅沟槽隔离结构的制作方法，属于半导体技术领域，且浅沟槽隔离结构的制作方法包括以下步骤：提供一衬底，并在衬底上形成前置氧化层和氮化层；蚀刻氮化层、前置氧化层和部分衬底，形成浅沟槽；在浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔离结构；去除氮化层，浅沟槽隔离结构表面至前置氧化层表面之间的高度差形成初始台阶高度；依据初始台阶高度和预设台阶高度的高度关系，选择湿氧氧化工艺或原位水汽生长工艺氧化衬底，加厚前置氧化层；以及同步湿法蚀刻浅沟槽隔离结构和前置氧化层，将初始台阶高度调整至预设台阶高度。通过本发明公开的浅沟槽隔离结构的制作方法，可提高形成的半导体器件的性能。
本发明授权一种浅沟槽隔离结构的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，并在所述衬底上形成前置氧化层和氮化层； 蚀刻所述氮化层、所述前置氧化层和部分所述衬底，形成浅沟槽； 在所述浅沟槽内沉积隔离介质层并平坦化，形成浅沟槽隔离结构； 去除所述氮化层，所述浅沟槽隔离结构表面至所述前置氧化层表面之间的高度差形成初始台阶高度； 依据初始台阶高度和预设台阶高度的高度关系，选择原位水汽生长工艺或湿氧氧化工艺氧化所述衬底，加厚所述前置氧化层；以及 同步湿法蚀刻所述浅沟槽隔离结构和所述前置氧化层，将所述初始台阶高度调整至预设台阶高度； 其中，当所述初始台阶高度高于所述预设台阶高度时，使用所述原位水汽生长工艺氧化所述衬底，加厚所述前置氧化层； 当所述初始台阶高度低于所述预设台阶高度时，使用所述湿氧氧化工艺氧化所述衬底，加厚所述前置氧化层。
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