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龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121405477B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512014492.0，技术领域涉及：B29C64/171；该发明授权一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法是由陈欣环;彭冬梅;郭可升;罗爱鑫;徐龙设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，涉及金刚石薄膜电极技术领域。通过获取二氧化硅粉末、碳粉及铝粉并混合得到混合粉末；将混合粉末加入稀释后的羟基甲基纤维素中，得到混合胶体；根据预设的三维模型，利用混合胶体进行三维打印，得到前驱体，并烘干得到前驱体坯体；将前驱体坯体在惰性气体氛围下进行烧结，得到多孔碳化硅衬底；将多孔碳化硅衬底进行清洗处理，并在其上沉积掺硼金刚石薄膜，得到掺硼金刚石薄膜电极，通过简单的烧结工艺制备出多孔碳化硅衬底，突破了现有掺硼金刚石薄膜电极比表面积有限、空间利用率低的技术局限，并结合三维打印技术，实现复杂结构的无模成型。

本发明授权一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种多孔碳化硅衬底掺硼金刚石薄膜电极的制备方法，其特征在于，包括步骤： S1.获取二氧化硅粉末、碳粉及铝粉，并将二氧化硅粉末、碳粉及铝粉进行混合处理，得到混合粉末； S2.获取预设比例的羟基甲基纤维素和去离子水，利用去离子水对羟基甲基纤维素进行稀释处理，将混合粉末加入稀释后的羟基甲基纤维素中，得到混合胶体； S3.根据预设的三维模型，利用混合胶体进行三维打印，得到前驱体，并对前驱体进行烘干处理，得到前驱体胚体； S4.将前驱体胚体在惰性气体氛围下进行烧结，得到多孔碳化硅衬底； S5.将多孔碳化硅衬底进行清洗处理，并在多孔碳化硅衬底上沉积掺硼金刚石薄膜，得到掺硼金刚石薄膜电极； 步骤S1包括： 选取不大于20nm球粒径的二氧化硅粉末作为硅源，不大于200目的纤维状的碳粉，不大于25μm球粒径的铝粉，并将二氧化硅粉末、碳粉及铝粉按照质量比2.5:1:1的比例进行混合，然后球磨6h-8h，得到混合粉末； 步骤S3包括： 根据预设的三维模型，确定三维模型的打印路径信息； 根据打印路径信息，调整打印参数，利用三维打印技术将混合胶体沉积成型，得到前驱体； 在室温下，对前驱体进行静置处理； 对静置处理后的前驱体进行烘干处理，得到前驱体胚体； 步骤S4包括： 将前驱体胚体置于管式炉中，抽真空至预设范围内； 通入氩气，在氩气氛围下进行分段烧结，得到多孔碳化硅衬底； 分段烧结的步骤包括： 以第一预设升温速度从室温升至1000℃，保温1h； 再以第一预设升温速度从1000℃升至1400℃，保温1h； 然后以第二预设升温速度从1400℃升至1500℃，保温3h-4h，再降至室温。

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