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龙图腾网获悉福建省金石能源股份有限公司申请的专利用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121407017B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511985254.8，技术领域涉及：C23C14/02；该发明授权用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法是由林朝晖;林楷睿;谢艺峰;张超华;黄巍辉设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及太阳能电池技术领域，具体涉及一种用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法，该溅射镀膜设备包括沿载板传输方向依次设置的进片腔室、至少一个远程等离子体处理腔室、进片隔离腔室、进片缓冲腔室、至少一个镀膜腔室、出片缓冲腔室、出片隔离腔室以及出片腔室，通过将远程等离子体处理腔室集成在溅射镀膜设备中，从而利用远程等离子处理方式对第一半导体层开口后的硅片背面的氧化层以及边沿绕镀层进行清洁，较大程度上简化了工艺流程；同时由于等离子体处理和溅射镀膜集成在同一设备中，在镀膜之前可不需要额外的湿法刻蚀清洁，极大程度上减少了对背面钝化层造成破坏的风险，有利于提高电池的可靠性。

本发明授权用于背接触电池的溅射镀膜设备、背接触电池及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种背接触电池的制备方法，其特征在于，包括： S100、提供一双面抛光的硅片； S200、在所述硅片背面制备第一半导体层，所述第一半导体层包括隧穿氧化层和N型掺杂多晶硅层； S300、在所述第一半导体层上制备第一掩膜层； S400、在所述硅片的背面第一次开口，去除所述第一掩膜层及部分所述第一半导体层，形成第二半导体区开口； S500、对所述硅片进行制绒清洗，在所述硅片的正面形成金字塔绒面，同时去除所述硅片背面所述第二半导体区内的第一半导体层以及剩余的所述第一掩膜层，形成单面制绒、单面抛光结构的硅片； S600、在所述硅片的正面依次沉积钝化层和减反层，以及在所述硅片的背面沉积第二半导体层，所述第二半导体层包括本征非晶硅层与P型掺杂非晶硅层或微晶硅层； S700、在所述硅片的背面第二次开口，形成与第二半导体区交替排列的第一半导体区； S800，利用集成远程等离子体处理功能的溅射镀膜设备对硅片背面进行刻蚀清洁并沉积透明导电膜层；所述集成远程等离子体处理功能的溅射镀膜设备包括：沿载板传输方向依次设置的进片腔室、至少一个远程等离子体处理腔室、进片隔离腔室、进片缓冲腔室、至少一个镀膜腔室、出片缓冲腔室、出片隔离腔室以及出片腔室，且不同类型腔室之间设置有门阀；通过腔室传送机构带动载板在不同的腔室停留或者反应；所述远程等离子体处理腔室内设置有等离子体发生装置，用于产生刻蚀气体对背接触电池的背面进行刻蚀清洁，所述镀膜腔室用于在等离子清洁之后，在所述背接触电池的背面沉积透明导电膜层；所述等离子体发生装置包括等离子体发生器和等离子气体供应设备，所述等离子体发生器用于对所述等离子气体供应设备流出的气体进行等离子电离，从而产生刻蚀气体；所述远程等离子体处理腔室采用含氟气体进行刻蚀处理，所述含氟气体中掺入氢。

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