合肥晶合集成电路股份有限公司王文智获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121442736B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512005938.3，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体器件及其制造方法是由王文智;刘哲儒设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：衬底、第一介质层、第一栅极结构和第二栅极结构，其中，所述衬底内设置有外延层；所述第一栅极结构位于所述外延层下方的衬底内，包括第一栅极、第一栅介质层和第二栅介质层，所述第二栅介质层位于所述第一栅极和所述外延层之间，所述第一栅介质层覆盖所述第一栅极的侧壁和底部；所述第二栅极结构位于所述衬底上，且所述第二栅极结构朝向所述衬底表面的正投影与所述第一栅极结构朝向所述衬底表面的正投影部分重合。本申请降低了衬底的漏电流，实现了对半导体器件的电流和电压的精确控制，从而提升了半导体器件的性能，有效降低了半导体器件的噪声，扩展了半导体器件的频带。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底内形成有栅极沟槽，于所述栅极沟槽的侧壁和底部形成第一栅介质层； 于所述第一栅介质层上形成第一栅极，且所述第一栅极形成于所述栅极沟槽的底部； 于所述第一栅极的顶面形成第二栅介质层； 去除所述第一栅介质层中高于所述第二栅介质层的部分，以暴露所述栅极沟槽的侧壁中高于所述第二栅介质层的部分，并形成第一栅极结构，所述第一栅极结构包括所述第一栅极、所述第二栅介质层和剩余的所述第一栅介质层； 于所述第一栅极结构上形成外延层，所述外延层填满所述栅极沟槽； 于所述衬底上形成第二栅极结构，且所述第二栅极结构朝向所述衬底方向上的正投影与所述第一栅极结构朝向所述衬底方向上的正投影部分重合。
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