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龙图腾网获悉湖南艾博特机器人技术有限公司申请的专利一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121457536B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511633800.1，技术领域涉及：G06N3/06；该发明授权一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路是由许振东;周柔;谢鹏;李文;万求真设计研发完成，并于2025-11-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路，该电路由三个信号调节模块、两个反馈调控模块和两个反射生成模块组成。信号调节模块通过比较器与运算放大器实现输入信号的判别、幅值调控及延时整形；反馈调控模块依据奖励信号与行为信号的组合，输出增强型电压、弱抑制电压或强抑制电压，从而实现对突触权重的分化调控；反射生成模块利用忆阻器的写入–读取特性，动态改变或检测忆阻器阻值，并通过逻辑门电路输出条件反射行为信号。提出的遗忘机制条件反射电路能够在硬件层面实现学习、遗忘、泛化和分化等功能，较完整地模拟了生物神经网络中的条件反射机制，它具有较高的生物真实性和硬件实现价值。

本发明授权一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路在权利要求书中公布了：1.一种基于忆阻神经网络的遗忘机制条件反射电路，其特征在于，该电路由三个信号调节模块、两个反馈调控模块和两个反射生成模块组成； 所述三个信号调节模块，分别记为信号调节模块SD-A1、信号调节模块SD-R和信号调节模块SD-A2；信号调节模块SD-A1由外部电压源VPd1-VPd6、VNd1-VNd6、Vd1-Vd2，NMOS管Nd1-Nd6，PMOS管Pd1-Pd6，模拟行为器件ABMd1-ABMd2，忆阻器Md1，电阻Rd1以及运算放大器Ud1构成；信号调节模块SD-R由外部电压源VPd7-VPd12、VNd7-VNd12、Vd3-Vd4，NMOS管Nd7-Nd12，PMOS管Pd7-Pd12，模拟行为器件ABMd3-ABMd4，忆阻器Md2，电阻Rd2以及运算放大器Ud2构成；信号调节模块SD-A2由外部电压源VPd13-VPd18、VNd13-VNd18、Vd5-Vd6，NMOS管Nd13-Nd18，PMOS管Pd13-Pd18，模拟行为器件ABMd5-ABMd6，忆阻器Md3，电阻Rd3以及运算放大器Ud3构成；Nd1与Pd1的栅极相连并接入反射生成模块1的输出信号Vaction1，外部电压源VPd1与Pd1的源极相连，VNd1与Nd1的源极相连；Nd1与Pd1的漏极相连并同Nd2与Pd2的栅极相连在一起；外部电压源VPd2与Pd2的源极相连，VNd2与Nd2的源极相连；Nd2与Pd2的漏极相连在一起并同Nd3与Pd3的栅极相连；外部电压源VPd3与Pd3的源极相连，VNd3与Nd3的源极相连；Nd3与Pd3的漏极相连并与电阻Rd1的一端相连；电阻Rd1的另一端与运算放大器Ud1的反相输入端相连并同忆阻器Md1的一端相接在一起，Ud1的同相输入端接地；Ud1的输出端与Md1的另一端相连并同Nd4与Pd4的栅极相连在一起；模拟行为器件ABMd1的输出端与Pd4的源极相连，模拟行为器件ABMd2的输出端与Nd4的源极相连；ABMd1的两输入端IN1和IN2分别连接VPd4与Vd1；ABMd2的两输入端IN1和IN2分别连接VNd4与Vd2；Nd4与Pd4的漏极相连并同Nd5与Pd5的栅极相连在一起；外部电压源VPd5与Pd5的源极相连，VNd5与Nd5的源极相连；Nd5与Pd5的漏极相连并同Nd6与Pd6的栅极相连在一起；外部电压源VPd6与Pd6的源极相连，VNd6与Nd6的源极相连；Nd6与Pd6的漏极相连在一起，并作为SD-A1模块的输出信号Va1，Va1同开关SS1的控制导通正端与开关SS2的控制导通负端相连在一起；Nd7与Pd7的栅极相连在一起并接入奖励信号Vreward；外部电压源VPd7与Pd7的源极相连，VNd7与Nd7的源极相连；Nd7与Pd7的漏极相连并同Nd8与Pd8的栅极相连在一起；外部电压源VPd8与Pd8的源极相连，VNd8与Nd8的源极相连；Nd8与Pd8的漏极相连并同Nd9与Pd9的栅极相连在一起；外部电压源VPd9与Pd9的源极相连，VNd9与Nd9的源极相连；Nd9与Pd9的漏极相连并与电阻Rd2的一端相连在一起；电阻Rd2的另一端与Ud2的反相输入端相连在一起并同Md2的一端相连；Ud2的同相输入端接地；Ud2的输出端与Md2的另一端相连并同Nd10与Pd10的栅极相连在一起；模拟行为器件ABMd3的输出端与Pd10的源极相连，模拟行为器件ABMd4的输出端与Nd10的源极相连；ABMd3的两输入端IN1和IN2连接VPd10与Vd3；ABMd4的两输入端IN1和IN2连接VNd10与Vd4；Nd10与Pd10的漏极相连并同Nd11与Pd11的栅极相连在一起；外部电压源VPd11与Pd11的源极相连，VNd11与Nd11的源极相连；Nd11与Pd11的漏极相连并同Nd12与Pd12的栅极相连在一起；外部电压源VPd12与Pd12的源极相连，VNd12与Nd12的源极相连；Nd12与Pd12的漏极相连在一起，并作为SD-R模块的输出信号Vr，Vr同开关SS3、SS4的控制导通负端相连并与电阻Rs2、Rs6的一端相连在一起；Nd13与Pd13的栅极相连并接入反射生成模块2的输出信号Vaction2，外部电压源VPd13与Pd13的源极相连，VNd13与Nd13的源极相连；Nd13与Pd13的漏极相连并同Nd14与Pd14的栅极相连在一起；外部电压源VPd14与Pd14的源极相连，VNd14与Nd14的源极相连；Nd14与Pd14的漏极相连并同Nd15与Pd15的栅极相连在一起；外部电压源VPd15与Pd15的源极相连，VNd15与Nd15的源极相连；Nd15与Pd15的漏极相连并与电阻Rd3的一端相连；电阻Rd3的另一端与Ud3的反相输入端相连并同Md3的一端相连在一起；Ud3的同相输入端接地；Ud3的输出端与Md3的另一端相连并同Nd16与Pd16的栅极相连在一起；模拟行为器件ABMd5的输出端与Pd16的源极相连，模拟行为器件ABMd6的输出端与Nd16的源极相连；ABMd5的两输入端IN1和IN2连接VPd16与Vd5；ABMd6的两输入端IN1和IN2连接VNd16与Vd6；Nd16与Pd16的漏极相连并同Nd17与Pd17的栅极相连在一起；外部电压源VPd17与Pd17的源极相连，VNd17与Nd17的源极相连；Nd17与Pd17的漏极相连并同Nd18与Pd18的栅极相连在一起；外部电压源VPd18与Pd18的源极相连，VNd18与Nd18的源极相连；Nd18与Pd18的漏极相连在一起，并作为SD-A2模块的输出信号Va2，Va2同开关SS5的控制导通正端与开关SS6的控制导通负端相连在一起。

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