买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉上海芯旺微电子技术股份有限公司申请的专利一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121461910B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610002529.X，技术领域涉及：H03F3/45；该发明授权一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器是由冯旭;樊茂;丁晓兵设计研发完成，并于2026-01-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器，属于电子电路技术领域。包括主放大器电路和软启动电路，所述主放大器电路用于比较反馈电压Vfb与第一参考电压Vref1，所述软启动电路用于在启动时稳定上升电压，本发明通过将软启动电压VSS分别连接主放大器电路中第一P型MOS管PM1管的衬底和软启动电路中第九P型MOS管PM9的栅极，可以优化上电过冲，实现方案简洁，大幅节省芯片面积与功耗。

本发明授权一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器在权利要求书中公布了：1.一种用于防止DCDC启动过冲的误差放大器，其特征在于，包括：主放大器电路和软启动电路； 所述主放大器电路用于比较反馈电压Vfb与第一参考电压Vref1，包括第一P型MOS管PM1、第二P型MOS管PM2、第三P型MOS管PM3、第四P型MOS管PM4、第五P型MOS管PM5、第一N型MOS管NM1、第二N型MOS管NM2、第三N型MOS管NM3、第四N型MOS管NM4；所述软启动电路用于在启动时稳定上升电压，包括第六P型MOS管PM6、第七P型MOS管PM7、第八P型MOS管PM8、第九P型MOS管PM9、第十P型MOS管PM10、第五N型MOS管NM5、第六N型MOS管NM6、第七N型MOS管NM7、第一电阻R1、第二电阻R2和第一电容C1； 所述主放大器电路中，所述第一P型MOS管PM1的衬底连接软启动电压VSS，防止启动过冲；所述第一P型MOS管PM1的漏极连接第八P型MOS管PM8的漏极；所述第二P型MOS管PM2的漏极连接第九P型MOS管PM9的漏极； 所述软启动电路中，所述第六P型MOS管PM6的栅极连接第二偏置电压Vbias1，第七P型MOS管PM7的栅极连接第三偏置电压Vbias2，第十P型MOS管PM10的栅极连接第四偏置电压Vbias3；所述第六P型MOS管PM6的源极、第七P型MOS管PM7的源极、第十P型MOS管PM10的源极、第八P型MOS管PM8的衬底、第九P型MOS管PM9的衬底连接内部电源电压VDD；所述第六P型MOS管PM6的漏极与第五N型MOS管NM5的漏极连接；所述第五N型MOS管NM5的源极依次连接第一电阻R1、第二电阻R2后接地GND，第五N型MOS管NM5的栅极连接主放大器电路的输出Vea_out；所述第五N型MOS管NM5的衬底与地端GND连接；所述第七P型MOS管PM7的漏极、第六N型MOS管NM6的漏极、第八P型MOS管PM8的源极和第九P型MOS管PM9的源极相连接；所述第八P型MOS管PM8的栅极连接第二参考电压Vref2；所述第九P型MOS管PM9的栅极、第七N型MOS管NM7的漏极、第十P型MOS管PM10的漏极和第一电容的一端相连接；所述第一电容的另一端接地端GND；所述第六N型MOS管NM6的源极接地端GND，栅极连接第一电阻R1和第二电阻R2的连接处；所述第七N型MOS管NM7的源极接地端GND，栅极连接软启动控制信号ctrlA。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海芯旺微电子技术股份有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区张江镇龙东大道3000号1幢A楼506室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。