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龙图腾网获悉上海芯旺微电子技术股份有限公司申请的专利一种减小PMOSFET漏电流的电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121485667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610012518.X，技术领域涉及：H03K17/687；该发明授权一种减小PMOSFET漏电流的电路是由冯旭;请求不公布姓名;丁晓兵设计研发完成，并于2026-01-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种减小PMOSFET漏电流的电路在说明书摘要公布了：本发明公开了一种减小PMOSFET漏电流的电路，属于半导体技术领域。包括：测试PMOSFET电路以及自适应漏电流偏置电路；所述测试PMOSFET电路包括测试PMOSFET管和测试电阻；所述测试电阻接在测试PMOSFET管的源极和衬底之间；所述自适应漏电流偏置电路根据测试PMOSFET管衬底输出的电压Vctrl进行自适应电压调节，生成偏置电压VBP；将偏置电压VBP输入需要减小漏电流的PMOSFET的衬底，实现减小PMOSFET漏电流。本发明通过测试PMOSFET来对漏电流进行检测，并通过自适应漏电流偏置电路对集成电路中的PMOSFET衬底进行调节，可以在不增加导通电阻的情况下减小漏电流，实现简单、高效。

本发明授权一种减小PMOSFET漏电流的电路在权利要求书中公布了：1.一种减小PMOSFET漏电流的电路，其特征在于，包括：测试PMOSFET电路以及自适应漏电流偏置电路； 所述测试PMOSFET电路包括测试PMOSFET管和测试电阻；所述测试电阻连接在测试PMOSFET管的源极和衬底之间；所述自适应漏电流偏置电路根据测试PMOSFET管衬底输出的电压Vctrl进行自适应电压调节，生成偏置电压VBP；将偏置电压VBP输入需要减小漏电流的PMOSFET的衬底，实现减小PMOSFET漏电流； 所述自适应漏电流偏置电路包括：脉冲生成器、运算放大器OPA1、缓冲器buffer、电荷泵电路、电流源、第一反相器、第二反相器、第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4和第四电容C4；所述脉冲生成器的输出分别连接第四电阻R4的一端和缓冲器buffer；第四电阻R4的另一端依次连接第一反相器和第二反相器；缓冲器buffer的输出以及第一反相器、第二反相器的输出共同输入电荷泵电路；所述电荷泵电路的输出即为偏置电压VBP，且依次连接第一电阻R1和第二电阻R2后接地；所述运算放大器OPA1的正向输入端连接第一电阻R1和第二电阻R2的连接点；其负向输入端连接测试PMOSFET管衬底输出的电压Vctrl；其输出端通过第三电阻R3、第四电容C4构成的RC滤波电路控制电流源，运算放大器OPA1的输出端连接第三电阻R3的一端，第三电阻R3的另一端连接第四电容C4的一端，同时连接电流源的控制端，第四电容C4的另一端接地；电流源连接在第四电阻R4与第一反相器的连接点和地之间。

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