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龙图腾网获悉中北大学申请的专利一种异质结构的光热电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510684B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043743.X，技术领域涉及：H10F30/21；该发明授权一种异质结构的光热电探测器及其制备方法是由施伟鹏;刘丹;张文静;龚云;田改玲;刘璐;温竞龙;陈奕;薛晨阳设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种异质结构的光热电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光热电探测器件技术领域，公开了一种异质结构的光热电探测器及其制备方法，光热电探测器包括由下至上依次设置的底电极、P型Si衬底、ZnO介电层、Ag2Se吸收层和顶电极；所述ZnO介电层和Ag2Se吸收层形成Type‑II异质结。本发明的光热电探测器具有更广泛的光谱范围内高效的光吸收能力，可以自主产生电荷以满足能量需求，而且制备工艺简单，降低了外部能源依赖和能耗，同时对特定波段的光信号具有高响应和高灵敏度。

本发明授权一种异质结构的光热电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种异质结构的光热电探测器的制备方法，其特征在于，光热电探测器包括由下至上依次设置的底电极1、P型Si衬底2、ZnO介电层3、Ag2Se吸收层4和顶电极5；所述ZnO介电层3和Ag2Se吸收层4形成Type-II异质结，所述制备方法包括以下步骤： 步骤一：对P型Si衬底2进行预处理； 步骤二：采用射频溅射工艺在P型Si衬底2表面形成ZnO介电层3，溅射功率为20-80W，动态气压0.5-3Pa，沉积时间60-120min，温度≤30℃，随后200-400℃真空退火，优化界面电子隧穿特性； 步骤三：采用射频溅射工艺在ZnO介电层3表面形成Ag2Se吸收层4，溅射功率为30-80W、溅射气压1-2Pa、沉积时间30-60min，采用Ag2Se复合靶，获得粗糙度5nm、载流子迁移率100cm2V·s的Ag2Se吸收层4； 步骤四：采用射频溅射工艺在Ag2Se吸收层4表面形成顶电极5； 步骤五：在P型Si衬底2底部涂敷高导电银浆并使其固化形成欧姆接触的底电极1，同时使底电极1通过银浆固化引出电极，顶电极5通过银丝引线引出电极，完成外部电路连接。

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