合肥晶合集成电路股份有限公司马亚强获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121510949B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610036522.X，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由马亚强;季小龙;韩壮壮;沐凡;魏榕设计研发完成，并于2026-01-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种半导体结构及其制备方法，属于半导体技术领域。半导体结构至少包括：基底；凹槽，由所述基底的表面向所述基底内凹陷；阻挡层，设置在所述基底的表面上和所述凹槽内；第一掺杂层，设置在所述阻挡层上；第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层上；以及导电层，设置在所述第二掺杂层上。通过本发明提出的一种半导体结构及其制备方法，能够有效减少铜互联结构中的孔洞缺陷，同时有效避免电迁移，提高半导体结构的可靠性和良率。
本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，至少包括： 基底； 凹槽，由所述基底的表面向所述基底内凹陷； 阻挡层，设置在所述基底的表面上和所述凹槽内； 第一掺杂层，设置在所述阻挡层上，所述第一掺杂层的材料为ZNBx； 第二掺杂层，设置在所述第一掺杂层上，所述第二掺杂层的材料为ZNBxSiy；其中，x的范围为0.1-0.5，y的范围为0.1-0.5，Z为过渡金属；以及 导电层，设置在所述第二掺杂层上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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