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龙图腾网获悉东方晶源微电子科技(北京)股份有限公司申请的专利掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法、产品及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121522973B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610063227.3，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法、产品及设备是由俞宗强;张生睿设计研发完成，并于2026-01-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法、产品及设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法、产品及设备。其中上述方法包括：获取目标掩模版图，目标掩模版图为存在潜在缺陷的版图；通过空中像测量系统生成目标掩模版图的目标空中像；对目标空中像进行分析处理得到目标光学轮廓；根据预先训练的人工智能预测模型生成目标光学轮廓对应的目标硅片成像轮廓。通过此方法，可以根据目标空中像得到目标掩模版图经过图形化工艺之后的硅片成像轮廓，从而充分考虑图形化工艺过程中的物理化学特性，实现对硅片成像轮廓的精准预测，大幅提升缺陷可印性评估精度，从而满足先进工艺对预测精度的要求。

本发明授权掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法、产品及设备在权利要求书中公布了：1.一种掩模版缺陷在硅片层面成像效果的预测方法，包括： 获取目标掩模版图，所述目标掩模版图为存在潜在缺陷的版图； 通过空中像测量系统生成所述目标掩模版图的目标空中像； 对所述目标空中像进行分析处理得到目标光学轮廓； 根据预先训练的预测模型生成所述目标光学轮廓对应的目标硅片成像轮廓，所述预测模型用于学习未进行图形化工艺之前的光学轮廓与图形化工艺之后的硅片成像轮廓之间的映射关系，并基于输入的光学轮廓输出对应的硅片成像轮廓； 所述预测模型为人工智能预测模型； 所述人工智能预测模型的训练步骤包括：获取预先建立的图形化工艺模型，所述图形化工艺模型用于根据输入的掩模版图生成所述掩模版图经过图形化工艺后的轮廓；根据所述图形化工艺模型生成仿真数据，所述仿真数据为所述掩模版图未进行图形化工艺之前的光学轮廓与经过图形化工艺之后的硅片成像轮廓组成的数据对；根据所述仿真数据和实际量测数据训练得到所述人工智能预测模型，所述实际量测数据为空中像测量系统对掩模版图实际测量得到的光学轮廓与所述掩模版图经过所述图形化工艺之后实际量测得到的扫描电镜图像中提取的硅片成像轮廓组成的数据对。

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