苏州晶歌半导体有限公司张雨获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州晶歌半导体有限公司申请的专利PHEMT器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531747B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610046130.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权PHEMT器件及其制备方法是由张雨;何杰伟;颜建设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本PHEMT器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种PHEMT器件，其包括：GaAs衬底；AlGaAs下势垒层，设置于GaAs衬底上；InGaAs沟道层，层叠于AlGaAs下势垒层上；钙钛矿增强层，层叠于InGaAs沟道层上；AlGaAs上势垒层，层叠于钙钛矿增强层上；GaAs欧姆接触层，层叠于AlGaAs上势垒层上。本发明的PHEMT器件及其制作方法至少具有以下优点之一：1、钙钛矿增强层与InGaAs沟道层形成交错排列的能带结构产生能带偏移，进而产生内建电场并强化电子限制；2、钙钛矿增强层能够降低界面位错密度，提升沟道二维电子气迁移率；3、钙钛矿增强层的缺陷钝化作用能够减少界面态密度，抑制载流子散射；4、钙钛矿增强层能够抑制AlGaAs中深能级缺陷，使器件在200°C下保持性能。
本发明授权PHEMT器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种PHEMT器件，其特征在于，包括： GaAs衬底； AlGaAs下势垒层，设置于所述GaAs衬底上； InGaAs沟道层，层叠于所述AlGaAs下势垒层上； 钙钛矿增强层，层叠于所述InGaAs沟道层上； AlGaAs上势垒层，层叠于所述钙钛矿增强层上； GaAs欧姆接触层，层叠于所述AlGaAs上势垒层上； 其中，所述钙钛矿增强层的材料为SrHfO3或BaSnO3，所述InGaAs沟道层中的In组分为0.30-0.42。
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