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龙图腾网获悉深圳天狼芯半导体有限公司申请的专利碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531759B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610056174.2，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片是由乔凯设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片在说明书摘要公布了：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片，通过在沟槽栅极的交叉区域内，形成深入至N型漂移区的中央区域的P型深阱和阱区互联层，在N型漂移区内形成悬浮P阱，悬浮P阱位于沟槽栅极的下方并与沟槽栅极相对设置，悬浮P阱与阱区互联层电连接，且悬浮P阱上方的N型漂移区的掺杂浓度大于悬浮P阱下方的N型掺杂区的掺杂浓度，使得栅极结构围成的N型漂移区内可以允许更高的掺杂浓度，改善器件的导通性能，并且，通过悬浮P阱将中央区域内的电场峰值压制到悬浮结下方，而外围区域的电场位于悬浮结两侧拐角，优化器件的栅极可靠性。

本发明授权碳化硅悬浮结构沟槽功率器件及其制备方法、芯片在权利要求书中公布了：1.一种悬浮P阱碳化硅器件，其特征在于，所述悬浮P阱碳化硅器件包括： 碳化硅衬底和形成于所述碳化硅衬底正面的N型漂移区； 层间介质层以及形成于所述N型漂移区内的沟槽栅极和栅介质层，所述沟槽栅极为十字形结构，且所述沟槽栅极由所述栅介质层和所述层间介质层包裹； 形成于所述沟槽栅极的交叉区域内，且深入至所述N型漂移区的中央区域的P型深阱； 形成于所述P型深阱下方的阱区互联层，所述阱区互联层与所述P型深阱电连接； 形成于所述N型漂移区内的悬浮P阱，所述悬浮P阱位于所述沟槽栅极的下方，并与所述沟槽栅极相对设置；其中，所述悬浮P阱与所述阱区互联层电连接，且所述悬浮P阱的宽度大于所述P型深阱的宽度，所述悬浮P阱上方的所述N型漂移区的掺杂浓度大于所述悬浮P阱下方的所述N型漂移区掺杂浓度； 形成于所述P型深阱上，且与所述P型深阱接触的P型重掺杂区； 多个形成于所述N型漂移区上的P型阱区以及位于所述P型阱区上的N型重掺杂区； 相邻的所述P型阱区之间，以及相邻所述N型重掺杂区之间由所述沟槽栅极隔离；且所述P型阱区与所述沟槽栅极之间由所述栅介质层隔离； 覆盖于所述层间介质层上的第一电极，所述第一电极经所述层间介质层上的接触孔与所述P型重掺杂区电连接；所述接触孔位于所述P型重掺杂区上方； 形成于所述碳化硅衬底背面的第二电极。

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