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龙图腾网获悉湖南工程学院;中南大学申请的专利一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121531963B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610043215.4，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统是由黄心沿;林立新;王辉;赵振兴;郑佳鹏;张昊;刘芳廷;宋凯林;刘德玉;贺郁婕;刘刚设计研发完成，并于2026-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统在说明书摘要公布了：本发明涉及化合物半导体制造技术领域，尤其涉及一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统，其包括传感检测单元、信息管理与控制单元、应急互联单元和识别恢复单元。本发明能够保障半导体表面加工安全可靠运行，避免晶圆污染或报废，提升稳定性和安全性，适用于物理气相沉积、化学气相沉积等领域。

本发明授权一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统在权利要求书中公布了：1.一种化合物半导体薄膜沉积的气体侦测系统，其特征在于，包括：数据互联的传感检测单元、信息管理与控制单元、应急互联单元以及识别恢复单元；其中，用于对工艺气体泄漏场景进行监测并采集信号的所述传感检测单元，至少包括传感器、带屏蔽层的信号传输线、可编程控制器以及上位机；用于快速响应和控制所述信息管理与控制单元，至少包括流量计、电磁阀、气动阀、连接线、可编程控制器以及上位机；用于实现气体侦测系统与其他安全系统的联动所述应急互联单元，至少包括中控机以及云端服务器；所述识别恢复单元用于在设备制备中断后，识别并恢复工艺流程； 所述识别恢复单元根据设备中断时所处的工艺步骤，采取对应恢复策略；所述恢复策略至少包括：当制备中断处于放舟，则恢复时上位机控制直接跳步到取舟，完成后续工艺步骤；当制备中断处于抽真空、恒温、恒压时，恢复时上位机控制直接跳步到回压，完成后续工艺步骤；当制备中断处于镀膜步骤时，则恢复时上位机需要与中控机数据交互进行计算，其中，镀膜步骤工艺总时间为T，已进行工艺时间为T1，则需计算出一个时间TN，并将时间TN导入到工艺中，上位机控制跳步到抽真空，完成后续的恒温以及恒压，再将对应镀膜步骤的时间临时改为TN，直至整个工艺过程结束；当制备中断处于抽空残余反应气体、吹扫、清洗或回压时，则恢复时上位机控制直接跳步到中断时所处的工艺步骤，完成后续工艺步骤；当制备中断处于取舟时，则恢复时上位机控制直接跳步到卸载硅片，完成后续工艺。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南工程学院;中南大学，其通讯地址为：411104 湖南省湘潭市福星东路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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