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龙图腾网获悉湖南师范大学;岳麓山工业创新中心申请的专利硅光集成式磁光传感芯片及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121541112B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610077717.9，技术领域涉及：G01R33/032；该发明授权硅光集成式磁光传感芯片及其制造方法是由关欣洲;甘子旸;潘安练;欧阳思慧设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅光集成式磁光传感芯片及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种硅光集成式磁光传感芯片及其制造方法，通过于功能层内形成条形波导，于所述条形波导上形成两条相互间隔的压电薄膜，使所述条形波导的延伸方向和所述压电薄膜的延伸方向相同，并于所述条形波导内形成光芯层，所述光芯层在所述压电薄膜所在平面的正投影位于两条所述压电薄膜之间，且所述光芯层与两条所述压电薄膜之间的距离相同，以使所述压电薄膜在通电时产生形变，并于所述条形波导的两侧产生对称的熊猫型应力场，从而形成包括所述条形波导、所述压电薄膜和所述光芯层的保偏波导结构，有效提升了硅光集成式磁光传感芯片的偏振稳定性和集成度。

本发明授权硅光集成式磁光传感芯片及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种硅光集成式磁光传感芯片的制造方法，其特征在于，包括： 提供硅片，于所述硅片的基底上形成缓冲层； 于所述缓冲层上形成功能层； 对所述功能层进行刻蚀处理，于所述功能层内形成条形波导和光栅耦合器，且所述光栅耦合器位于所述条形波导的两侧； 于所述条形波导上形成两条相互间隔的压电薄膜，且所述条形波导的延伸方向和所述压电薄膜的延伸方向相同； 于所述条形波导内形成光芯层，且所述光芯层与两条所述压电薄膜之间的距离相同，以形成包括所述条形波导、所述压电薄膜和所述光芯层的保偏波导结构； 于所述功能层、所述压电薄膜和所述光芯层上形成第一绝缘封装层； 于所述第一绝缘封装层上形成量子点激光器和光电探测器，且所述量子点激光器朝向所述基底的正投影与一所述光栅耦合器朝向所述基底的正投影至少部分重合，所述光电探测器朝向所述基底的正投影与另一所述光栅耦合器朝向所述基底的正投影至少部分重合； 于所述第一绝缘封装层上形成覆盖所述量子点激光器和所述光电探测器的第二绝缘封装层； 于所述第一绝缘封装层和所述第二绝缘封装层内形成第一电连接件；在形成所述第一电连接件之后，所述方法还包括： 提供晶圆，所述晶圆包括衬底和形成于所述衬底上的半导体结构； 于所述衬底内形成第二电连接件； 将所述晶圆与所述硅片相键合，使所述衬底键合于所述第二绝缘封装层远离所述基底的一侧，且所述第一电连接件和所述第二电连接件相连。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖南师范大学;岳麓山工业创新中心，其通讯地址为：410006 湖南省长沙市岳麓区麓山路36号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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