合肥晶合集成电路股份有限公司郭哲劭获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121548096B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610073113.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体结构及其制造方法是由郭哲劭;赵丽娟;郭廷晃设计研发完成，并于2026-01-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制造方法，包括：提供包括第一区域和第二区域的衬底，衬底上形成有覆盖第一区域、第二区域的中间层；于中间层上形成第一功函数层；于第一功函数层上形成第二功函数层，第二功函数层的氮元素含量小于第一功函数层的氮元素含量；对第一功函数层和第二功函数层进行图形化处理，使剩余的第一功函数层和第二功函数层覆盖中间层，第二功函数层朝向衬底的正投影落入第一功函数层朝向衬底的正投影内，且在第一区域和第二区域的交界处上方，第一功函数层的边缘侧壁和第二功函数层的边缘侧壁组合形成阶梯状结构。本申请减少了金属元素向中间层扩散并形成偶极子的概率，改善了半导体器件的阈值电压漂移问题。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括第一区域和第二区域，所述衬底上形成有覆盖所述第一区域、所述第二区域的中间层； 于所述中间层上形成第一功函数层； 于所述第一功函数层上形成第二功函数层，所述第二功函数层的氮元素含量小于所述第一功函数层的氮元素含量； 对所述第一功函数层和所述第二功函数层进行图形化处理，以使剩余的所述第一功函数层和所述第二功函数层覆盖所述中间层，所述第二功函数层朝向所述衬底方向的正投影落入所述第一功函数层朝向所述衬底方向的正投影内，且在所述第一区域和所述第二区域的交界处上方，所述第一功函数层的边缘侧壁和所述第二功函数层的边缘侧壁组合形成阶梯状结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励