创视半导体(杭州)有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网获悉创视半导体(杭州)有限公司申请的专利解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法、系统及设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121562544B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610083276.3，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法、系统及设备是由请求不公布姓名设计研发完成，并于2026-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法、系统及设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法、系统及设备，涉及集成电路设计技术领域。该方法包括：在版图设计初期放置电路器件之后且布线之前，进行电路器件区域密度检查，并基于电路器件的集群密度和类型，对版图进行分区；调用数据库中的调整模块，对版图中的多晶硅调整平整度，其中，调整模块包括：改善密度模块、闭合模块、多晶硅填充模块；对调整后的版图进行信号线和电源连接，补充虚拟金属以达到金属层密度要求，得到待验证的版图设计图；对待验证的版图设计图进行设计规则验证。本发明实现了多晶硅的密度均匀问题，使化学机械抛光时的制造环境更加有利，提高了芯片量产时的良品率。
本发明授权解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法、系统及设备在权利要求书中公布了：1.一种解决数模版图设计中多晶硅平整度的方法，其特征在于，所述方法包括： 在版图设计初期放置电路器件之后且布线之前，进行电路器件区域密度检查，并基于所述电路器件的集群密度和类型，对版图进行分区； 调用数据库中的调整模块，对所述版图中的多晶硅调整平整度，其中，所述调整模块包括：改善密度模块、闭合模块、多晶硅填充模块，其中，所述改善密度模块为在所述电路器件的集群与空白区之间设置的隔离环空间，以对所述电路器件的集群周围的密度进行调整；所述闭合模块用于在满足设计规则要求下，填补所述改善密度模块之间的空隙，以对所述改善密度模块所在区进行闭合；所述多晶硅填充模块包括空旷填充模块，用于对所述空白区进行多晶硅填充； 对调整后的版图进行信号线和电源连接，补充虚拟金属以达到金属层密度要求，得到待验证的版图设计图； 对所述待验证的版图设计图进行设计规则验证。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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