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龙图腾网获悉微玖(苏州)光电科技有限公司申请的专利一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121568481B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610081356.5，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法是由余鹿鸣;钟冠伦;黄振;张宇;王程功;郑鹏远设计研发完成，并于2026-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种基于离子注入的InGaN全彩Micro‑LED器件制备方法，包括制备红、绿、蓝三色InGaN多量子阱堆叠外延片；通过光刻定义像素图形后，注入特定离子形成高阻绝缘层，实现像素电学隔离；刻蚀深孔暴露各颜色发光层的接触区域；沉积绝缘介质层并回刻，通过物理气相沉积和剥离工艺制备电极并互联；经减薄、切割、封装得到器件；本发明以离子注入替代多次选择性刻蚀，从根本上减少量子阱损伤，简化工艺流程，提升器件发光效率与一致性；深孔垂直电极结构增强接触可靠性，利于高密度集成；器件像素密度可达2000‑5000PPI，良率≥88%，适用于VRAR、高清显示等场景，具有重要应用价值。

本发明授权一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于离子注入的InGaN全彩Micro-LED器件制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，外延片准备，提供外延衬底，通过金属有机物化学气相淀积方法在所述衬底上依次外延生长InGaN基红、绿、蓝三色发光结构堆叠的外延片，所述堆叠结构的外延片自下而上包括低温成核层、非掺杂GaN层、N型GaN层、蓝色InGaN多量子阱发光层、电子阻挡层、P型GaN层、绿色InGaN多量子阱发光层及其对应的P型GaN层、红色InGaN多量子阱发光层及其对应的P型GaN层； S2，离子注入进行电学隔离，通过光刻工艺定义像素区域图形，在像素之间的隔离区域注入特定离子，形成高阻绝缘层，将堆叠结构的外延片分割成独立的可单独寻址的Micro-LED像素单元； S3，深孔刻蚀制备接触点，通过光刻和干法刻蚀工艺在每个独立像素单元内刻蚀至少两个深孔，第一深孔刻蚀至绿色InGaN多量子阱发光层的N型GaN层，第二深孔在第一深孔内选择区域继续向下刻蚀，穿透绿色InGaN多量子阱至红色InGaN多量子阱发光层的N型GaN层； S4，电极制备与互联，在深孔内沉积绝缘介质层并回刻，通过光刻、物理气相沉积和剥离工艺填充金属，形成各层欧姆接触与金属导线； S5，后续工艺，依次进行减薄、抛光、切割、测试与封装，得到全彩Micro-LED器件。

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