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龙图腾网获悉中国人民解放军国防科技大学申请的专利一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121642711B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610153074.1，技术领域涉及：H01S1/02；该发明授权一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器是由葛行军;李涛;张鹏;邓如金;舒挺;李家文;邹瑞;阳雷;王建树设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器，给螺线管磁场通电产生磁场，在磁场引导下，电子束传输至漂移管中，沿轴向向内部同轴电磁结构的两段V波段慢波结构区域传输；在第一段慢波结构区域，束波同步使束产生速度调制，束在第一段慢波结构获得的速度调制通过漂移运动在漂移腔中转换为密度调制，最后在第二段慢波结构中电子束和同轴慢波结构发生束‑波作用，把能量交给微波场，从而产生HPM。第二同轴微波输出波导与第二段慢波结构的第七个慢波结构周期和第十二个慢波结构周期相连通耦合，使得电子束交给微波的能量一部分从第二同轴微波输出波导后输出，达到分布式提取的效果，对于非分布式提取结构，有效提高器件的功率容量。

本发明授权一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器在权利要求书中公布了：1.一种基于分布式提取的V波段高功率微波振荡器，其特征在于：由阴极结构和同轴电磁结构组成：阴极结构包括阴极座、阴极；同轴电磁结构包括阳极外筒、第一漂移管、谐振反射腔、第二漂移管、V波段第一慢波结构、漂移腔、V波段第二慢波结构、第一分布式提取口、第二分布式提取口、收集极、第一同轴微波输出波导、第二同轴微波输出波导、内导体；整个结构关于中心轴线旋转对称； V波段第一慢波结构由七个相同的慢波叶片组成，每个慢波叶片均为一凹一凸的周期性台阶结构，凹陷部分的半径为，凸起部分的半径为，；凹陷部分的长为，取值为工作波长的0.1-0.25倍；凸起部分的长为，取值为工作波长的0.1-0.25倍；漂移腔是一个内外半径分别为和的圆环形空腔，长度为，取值为工作波长的1-2.5倍，漂移腔两侧是连接两段慢波结构的两个内外半径为和的圆环形空腔，长度分别为和、和取值均为工作波长的0.4-2倍；V波段第二慢波结构由十三个相同的慢波叶片组成，每个慢波叶片均为一凹一凸的周期性台阶结构，凹陷部分的半径为，凸起部分的半径为，；凹陷部分的长为，取值为工作波长的0.1-0.25倍，凸起部分的长为，取值为工作波长的0.1-0.25倍；在V波段第二慢波结构的第七和第十二个慢波叶片处分别进行分布式提取，第一分布式提取口是一个内外半径分别为和的圆环形空腔，长度为，取值为工作波长的0.1-0.25倍，第二分布式提取口是一个内外半径分别为和的圆环形空腔，长度为，取值为工作波长的0.1-0.25倍。

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