中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所蒋春萍获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所申请的专利一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121646287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610147631.9，技术领域涉及：H10P14/20；该发明授权一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用是由蒋春萍;王东升;张慎洋设计研发完成，并于2026-02-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用。所述复合结构包括衬底以及沿远离所述衬底的方向依次设置的GaN基结构、AlScN层；所述GaN基结构包括n型GaN层，所述AlScN层与所述n型GaN层异质结耦合；并且，所述AlScN层所含的材料的化学式为Al1‑xScxN，x为0.1~0.43，其晶体结构为六方纤锌矿结构，具有c轴择优取向，所述AlScN层的厚度为60nm以上。本发明提供的复合结构可以实现1200nm~1300nm波段二次谐波增强，解决现有技术中的纯GaN体材料或单一外延GaN基结构二次谐波强度不足的问题。
本发明授权一种增强型二次谐波产生的复合结构及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种增强型二次谐波产生的复合结构，其特征在于，包括衬底以及沿远离所述衬底的方向依次设置的GaN基结构、AlScN层； 所述GaN基结构包括n型GaN层，所述AlScN层与所述n型GaN层异质结耦合；并且，所述AlScN层所含的材料的化学式为Al1-xScxN，x为0.1~0.43，其晶体结构为六方纤锌矿结构，具有c轴择优取向，所述AlScN层的厚度为60nm以上。
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