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龙图腾网获悉安建科技(深圳)有限公司申请的专利一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121665689B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610120764.7，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件是由冯浩;彭鑫;刘永;阳治雄;单建安设计研发完成，并于2026-01-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件在说明书摘要公布了：一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件，涉及于功率半导体器件，为提升器件抗ESD能力，本发明提供的器件包含有栅极金属层与栅极总线，器件内部设有场限环，栅极金属层和栅极总线之间连接有多组平行排列的第一沟槽栅，栅极金属层内设有第二沟槽栅，栅极总线侧等效为输入电容Ciss，第一沟槽栅与场限环形成电容CG_pad，栅极金属层与栅极总线之间通过第一沟槽栅连接形成等效电阻Rg_int，第二沟槽栅和场限环形成等效电容CG_tre，CG_tre与CG_pad并联。CG_tre能为ESD电流提供额外的泄放路径，从而减小流经Rg_int的电流，有助于分担ESD引起的瞬时高电压，提升器件的抗ESD能力。

本发明授权一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种基于沟槽结构的抗ESD增强型功率半导体器件，所述的器件上方设有栅极金属层与栅极总线，所述的器件内部设有场限环，所述的栅极金属层和栅极总线之间连接有多组平行排列的第一沟槽栅，所述的第一沟槽栅包括具有第一多晶硅层，第一多晶硅层下方与场限环之间设有第一氧化层，第一多晶硅层上方设置有金属接触孔，金属接触孔一端与栅极金属层相连，另一端与栅极总线相连；栅极金属层和栅极总线均通过绝缘层与场限环隔离，所述的栅极总线侧等效为输入电容Ciss，所述的第一沟槽栅与场限环形成电容CG_pad，栅极金属层与栅极总线之间通过第一沟槽栅连接形成等效电阻Rg_int，其特征在于，所述的栅极金属层下方还设有第二沟槽栅，所述的第二沟槽栅包括有填充在沟槽内第二多晶硅层，所述的第二多晶硅层与场限环之间设有第二氧化层，所述的第二多晶硅层的上方设有一个以上的金属接触孔与栅极金属层相连，所述的第二沟槽栅和场限环形成等效电容CG_tre，所述的等效电容CG_tre与电容CG_pad并联。

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