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龙图腾网获悉苏州实验室申请的专利一种制备大面积氮化镓薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121672435B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610170469.2，技术领域涉及：C01B21/06；该发明授权一种制备大面积氮化镓薄膜的方法是由黄增立;楚旭;李书明;邵纤童;谢良帅;张洁莲设计研发完成，并于2026-02-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种制备大面积氮化镓薄膜的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种制备大面积氮化镓薄膜的方法，所述方法包括以下步骤：1对表面制备有电极的氮化镓晶圆进行氧等离子体预处理；2在不含支撑层的条件下，将步骤1得到的氮化镓晶圆通过阳极电极夹具置于电解液中，施加恒压，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀完全后，使用衬底捞取GaN薄膜；3将步骤2衬底上的GaN薄膜进行清洗和干燥，得到氮化镓薄膜。本发明采用氧等离子体预处理提升氮化镓表面的亲水性，从而使腐蚀电解液更易润湿，气泡快速脱离；同时降低薄膜表面的局部应力，减少薄膜破裂的概率，得到的无需支撑剥离的氮化镓薄膜具有大面积、低粗糙度、易集成的优势。

本发明授权一种制备大面积氮化镓薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种制备大面积氮化镓薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 1对表面制备有电极的氮化镓晶圆进行氧等离子体预处理； 2在不含支撑层的条件下，将步骤1得到的氮化镓晶圆通过阳极电极夹具置于电解液中，施加恒压，进行电化学腐蚀，电化学腐蚀完全后，使用衬底捞取GaN薄膜； 3将步骤2衬底上的GaN薄膜进行清洗和干燥，得到氮化镓薄膜； 步骤1所述氮化镓晶圆表面的GaN薄膜的厚度为50nm-1μm； 步骤1所述氧等离子体预处理使用的设备为氧等离子体去胶机； 所述氧等离子体预处理过程中，O2的流量为20sccm-100sccm； 所述氧等离子体预处理过程中，RF功率为30W-400W； 所述氧等离子体预处理的时间为30s-150s； 所述氧等离子体预处理过程中，腔压为5mTorr-50mTorr； 步骤2所述电解液包括第一酸液和或第二酸液； 所述第一酸液包括浓度为0.1molL-1molL的硝酸； 所述第二酸液包括草酸和氢氟酸的混合酸； 所述草酸的浓度为0.1molL-0.5molL； 所述氢氟酸的浓度为0.1molL-0.5molL。

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