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龙图腾网获悉宜兴市吉泰电子有限公司申请的专利一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121696595B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-21发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610210850.7，技术领域涉及：B23K35/02；该发明授权一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料及其制备方法是由周俊;陈希设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于钎焊材料领域，提供了一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料及其制备方法，本发明采用了核壳复合结构设计，以银‑铜基体核为核心，表面包覆钛‑铜金属间化合物壳层，壳层由钛与银‑铜基体核中的铜经扩散反应形成并通过冶金结合界面连接，银含量53.4至74.9份、铜含量22.1至46.4份、钛含量0.2至3.0份，通过银铜粉末混合压制烧结退火轧制形成基体核、磁控溅射沉积钛层、扩散退火转化为金属间化合物壳层制备而成，显著提升了活性润湿性、冶金结合强度、热循环可靠性和储存稳定性，同时解决了陶瓷‑金属钎焊中活性润湿增强与界面脆性的矛盾以及壳层高覆盖率与相结构可控及储存稳定性的矛盾，具有广泛的电子封装应用价值。

本发明授权一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于陶瓷侧墙金属外壳银铜焊接材料，其特征在于，所述银铜焊接材料为核壳复合结构粉体或核壳复合结构箔材； 所述核壳复合结构包括银-铜基体核以及位于所述银-铜基体核表面的钛-铜金属间化合物壳层，所述钛-铜金属间化合物壳层由钛与所述银-铜基体核中的铜经扩散反应形成，并与所述银-铜基体核通过扩散反应形成的冶金结合界面连接； 以总量100份计，所述核壳复合结构中银、铜和钛的重量份之和为100份；其中银的重量份为53.4～74.9份、铜的重量份为22.1～46.4份、钛的重量份为0.2～3.0份；其中银与铜的重量份之和为97.0～99.8份，且银占银与铜重量份之和的55～75%，铜占银与铜重量份之和的25～45%； 所述钛-铜金属间化合物壳层的厚度为50～300nm; 所述银-铜基体核的制备步骤包括： A1.以银粉与铜粉为原料，所述银粉纯度为98～99.99wt%，所述铜粉纯度为98～99.99wt%，所述银粉的粒度D50为1～20µm，所述铜粉的粒度D50为1～20µm；按银占银与铜总质量的55～75wt%、铜占银与铜总质量的25～45wt%称量并干混10～60min； A2.将混合粉末在100～500MPa下压制成坯； A3.将压制得到的坯置于真空炉中，先抽真空至炉内压力≤0.001Pa，再通入氩气或氮气使炉内气压为2.5～3.5Pa，并在保护气氛下在650～1000℃下烧结0.5～1.5h； A4.烧结后在600～700℃下退火2～10h； A5.随后进行热轧并与退火交替重复至厚度减薄，再进行冷轧得到厚度为0.05～0.20mm的银-铜基体箔材，或将其破碎并筛分得到银-铜基体粉体； 钛金属层作为所述钛-铜金属间化合物壳层的前驱层，其沉积步骤包括： B1.将步骤A5获得的银-铜基体粉体或银-铜基体箔材置于磁控溅射沉积设备中，抽真空至本底真空度为2×Pa～3×Pa； B2.通入氩气使工作气压为0.3～1.2Pa； B3.以钛靶材作为溅射靶材，预溅射5～20min后进行溅射沉积，溅射功率为200～1500W，沉积时间为5～240min，使沉积得到的钛金属层厚度为30～200nm； B4.沉积后在氩气或氮气保护下冷却并密封保存为核壳复合结构前驱体； 所述钛金属层经扩散退火转化为所述钛-铜金属间化合物壳层，所述扩散退火步骤包括： C1.将步骤B4获得的核壳复合结构置于真空炉或惰性气氛炉中，以5～20℃min的升温速率升温至450～700℃并保温0.5～6h，气氛为炉内压力≤0.001Pa的真空，或为氩气或氮气常压保护； C2.随后随炉冷却至200℃以下或以不大于10℃min的速率冷却至室温。

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