波音公司M·姚获国家专利权
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龙图腾网获悉波音公司申请的专利用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111798914B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010175178.5，技术领域涉及：G11C29/50；该发明授权用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构是由M·姚;M·F·卡瓦纳霍尔曼;E·H·坎农设计研发完成，并于2020-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构在说明书摘要公布了：本申请涉及用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构，并公开一种用于测量一个或多个静态随机存取存储器SRAM单元的静态噪声容限SNM的测试结构，其可以包括电耦合到每个SRAM单元的第一晶体管门TG和第二TG。在实施方式中，可以使用切断器将SRAM单元的第一反相器的输出和第二反相器的输入之间的互连电断开。在SRAM单元的操作期间，SRAM单元内的内部存储节点可以通过第一TG和第二TG电耦合到例如外部引脚和测试装置。可以通过外部引脚在内部存储节点处测量电参数，诸如电压，并将其用于计算SRAM单元的SNM。
本发明授权用于测量静态随机存取存储器静态噪声容限的直接测量测试结构在权利要求书中公布了：1.一种用于直接测量集成电路器件即IC器件中的一个或多个静态随机存取存储器单元即SRAM单元的稳定性的测试结构，其中所述SRAM单元包括第一反相器和第二反相器，对于一个或多个SRAM单元的每个SRAM单元，所述测试结构包含： 第一传输门即第一TG，其电耦合到所述SRAM单元中的切断器的第一侧； 第二TG，其电耦合到所述切断器的第二侧； 电耦合到所述第一TG的第一外部引脚，和电耦合到所述第二TG的第二外部引脚；以及 电耦合到所述第一TG并且耦合到所述第一反相器的第一内部节点，和电耦合到所述第二TG并且耦合到所述第二反相器的第二内部节点，其中所述切断器位于所述第一反相器和所述第二反相器之间，其中： 所述切断器在所述切断器的所述第一侧和所述切断器的所述第二侧之间提供电断开；并且 所述第一内部节点通过所述第一TG电耦合到所述第一外部引脚，并且所述第二内部节点通过所述第二TG电耦合到所述第二外部引脚。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人波音公司，其通讯地址为：美国伊利诺伊州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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