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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114357940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210022871.8，技术领域涉及：G06F30/398；该发明授权半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备是由盛永尚设计研发完成，并于2022-01-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备在说明书摘要公布了：本公开是关于一种半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备，该方法通过建立存储有实验设计晶圆的光谱和结构参数，及制程记录晶圆的光谱和结构参数的数据库，基于数据库中的光谱和结构参数生成数据处理模型，通过数据处理模型对在线晶圆的光谱进行分析。将需要检测的在线晶圆的光谱直接导入数据处理模型，即可获得预测结果，工作效率较高。分析过程会将在线晶圆的光谱也保存在数据库中，不断对数据处理模型进行更新，提高数据处理模型的准确性，对其他在线晶圆检测时，可以复用已完成分析的在线晶圆的光谱，从而提高预测结果的精度。

本发明授权半导体结构的分析方法、分析系统、介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的分析方法，其特征在于，包括： 建立存储有光谱和结构参数的数据库，所述光谱和结构参数包括实验设计晶圆的光谱和结构参数，及制程记录晶圆的光谱和结构参数； 基于所述光谱和所述结构参数生成数据处理模型； 基于所述数据处理模型对在线晶圆的光谱进行分析并给出预测结果，同时保存所述在线晶圆的光谱于所述数据库中； 基于数据处理模型对在线晶圆进行分析并给出预测结果包括： 获取所述在线晶圆的当层光谱； 获取所述在线晶圆的前层光谱和前层结构参数； 比较所述当层光谱和所述前层光谱，对所述前层结构参数在所述数据处理模型中进行单独浮动，得到当层结构参数； 计算各个所述当层结构参数与所述当层光谱的匹配度； 所述当层结构参数包括当层浮动参数和当层固定参数；所述比较所述当层光谱和所述前层光谱，对所述前层结构参数在所述数据处理模型中进行单独浮动，得到所述当层结构参数，包括： 计算所述前层结构参数在所述当层光谱上每个波长点的灵敏度； 对所述灵敏度大于第一预设值的所述前层结构参数固定至所述数据处理模型，作为所述当层固定参数； 对所述灵敏度小于第一预设值的所述前层结构参数进行单独浮动，得到所述当层浮动参数； 对所述灵敏度小于第二预设值的所述前层结构参数排除。

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