中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司朱宁炳获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种排气管及具有其的半导体制造设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388394B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011140769.5，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权一种排气管及具有其的半导体制造设备是由朱宁炳;朴兴雨;李河圣;刘金彪;杨涛;贺晓彬;刘青;王垚设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种排气管及具有其的半导体制造设备在说明书摘要公布了：一种排气管，包括：排气管主体，为两端开口的筒状结构；屏蔽管，嵌设在排气管主体的内部；其中，屏蔽管的端部不凸出于排气管主体，且屏蔽管与排气管主体的内壁既不直接接触也不间接接触。屏蔽管防止排气管主体的内壁污染，延长了排气管的绝缘时间，能够防止设备运转过程中发生高电压的不稳定的状况。
本发明授权一种排气管及具有其的半导体制造设备在权利要求书中公布了：1.一种排气管，其特征在于，包括： 排气管主体，为两端开口的筒状结构； 屏蔽管，嵌设在所述排气管主体的内部； 连接部，用于所述排气管与其两端的排气管路的连接，所述连接部与所述屏蔽管固定连接或一体成型； 紧固部，用于所述连接部与所述排气管主体的连接；所述紧固部至少部分位于所述排气管主体与所述连接部之间；其中， 所述屏蔽管的端部不凸出于所述排气管主体，且所述屏蔽管的外壁与所述排气管主体的内壁之间具有一空隙。
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