长江存储科技有限责任公司李劲昊获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法及半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446881B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210109202.4，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件是由李劲昊设计研发完成，并于2022-01-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法及半导体器件在说明书摘要公布了：本申请提供了一种半导体器件的制作方法及半导体器件，该半导体器件的制作方法包括：提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，衬底包括高压器件区以及低压器件区，低压器件区位于高压器件区的一侧，阻挡层位于高压器件区上，第一凹槽位于低压器件区中，第一氧化层位于阻挡层的远离高压器件区的表面上，第二氧化层覆盖第一凹槽的侧壁，且第一氧化层的厚度小于第二氧化层的厚度；去除第一氧化层以及部分的第二氧化层，以使得阻挡层裸露；去除阻挡层后，去除剩余的第二氧化层。本申请的半导体制作方法不影响有源区关键尺寸，保证了器件的性能较好。
本发明授权半导体器件的制作方法及半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供衬底、第一凹槽、阻挡层、第一氧化层以及第二氧化层，所述衬底包括高压器件区以及低压器件区，所述低压器件区位于所述高压器件区的一侧，所述阻挡层位于所述高压器件区上，所述第一凹槽位于所述低压器件区中，所述第一氧化层位于所述阻挡层的远离所述高压器件区的表面上，所述第二氧化层覆盖所述第一凹槽的侧壁，且所述第一氧化层的厚度小于所述第二氧化层的厚度； 去除所述第一氧化层以及部分的所述第二氧化层，以使得所述阻挡层裸露； 去除所述阻挡层后，去除剩余的所述第二氧化层。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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