中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司谭程获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115588686B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110765209.7，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权半导体结构及其形成方法是由谭程;张恩宁;张海洋设计研发完成，并于2021-07-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底内形成第一凹槽，沿平行于所述衬底表面方向上，所述第一凹槽底部尺寸小于顶部尺寸，所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间具有墙角面；在所述第一凹槽侧壁形成有保护层，所述保护层暴露出所述墙角面和所述第一凹槽底部；形成所述保护层后，对所述墙角面进行第一刻蚀工艺刻蚀，以使第一凹槽形成第二凹槽；在所述第二凹槽内形成外延层。所述保护层用于减少对所述第一凹槽侧壁的损伤，减少对所述第一凹槽侧壁的横向刻蚀，利于形成侧壁相对于底部较为垂直的第二凹槽，优化所述第二凹槽的形貌，提高所形成的器件的性能。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 采用第三刻蚀工艺在所述衬底内形成第一凹槽，所述第三刻蚀工艺包括各项异性刻蚀工艺，所述第一凹槽呈U形，沿平行于所述衬底表面方向上，所述第一凹槽底部尺寸小于顶部尺寸，所述第一凹槽侧壁表面和底部表面之间具有墙角面； 在所述第一凹槽侧壁形成有保护层，所述保护层暴露出所述墙角面和所述第一凹槽底部； 形成所述保护层后，对所述墙角面进行第一刻蚀工艺刻蚀，以使第一凹槽形成第二凹槽； 在所述第二凹槽内形成外延层； 刻蚀所述外延层，以形成若干鳍部。
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