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龙图腾网获悉合肥工业大学申请的专利一种应用于单比特神经网络的存内计算单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115620779B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211100030.0，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权一种应用于单比特神经网络的存内计算单元是由张章;孙德凯;蒋择设计研发完成，并于2022-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于单比特神经网络的存内计算单元在说明书摘要公布了：本发明公开了一种应用于单比特神经网络的存内计算单元，该存内计算单元由一个存储部分和一个计算部分组成，存储部分包括管N1、管N2、管N3、管N4、管P1、管P2，计算部分包括管P3、管P4、管P5、管P6。存储部分负责存储权重信息，计算部分负责完成输入信号与权重的乘累加运算。本发明具有高稳定性、速度快、功耗低的优势。

本发明授权一种应用于单比特神经网络的存内计算单元在权利要求书中公布了：1.一种应用于单比特神经网络的存内计算单元，包括一个6管SRAM组成的存储部分和4个PMOS组成的计算部分，其特征在于： 所述的一个6管SRAM，包括NMOS晶体管N1、NMOS晶体管N2、NMOS晶体管N3、NMOS晶体管N4、PMOS晶体管P1、PMOS晶体管P2； 所述的4个PMOS组成的计算部分，包括PMOS晶体管P3、PMOS晶体管P4、PMOS晶体管P5、PMOS晶体管P6； 其中：PMOS晶体管P1的源极、PMOS晶体管P2的源极与电源电连接；NMOS晶体管N3的源极、NMOS晶体管N4的源极与地电连接； PMOS晶体管P1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极电连接于节点Q，PMOS晶体管P2的漏极与NMOS晶体管N4的漏极电连接于节点QB； NMOS晶体管N1的源极与线BL电连接，NMOS晶体管N2的源极与线BLB电连接； NMOS晶体管N1的栅极、NMOS晶体管N2的栅极与线WL电连接； NMOS晶体管N1的漏极与NMOS晶体管N3的漏极电连，NMOS晶体管N2的漏极与NMOS晶体管N4的漏极电连接； PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P6的栅极与NMOS晶体管N1的漏极电连接，PMOS晶体管P4的栅极、PMOS晶体管P5的栅极与NMOS晶体管N2的漏极电连接； PMOS晶体管P3的源极与PMOS晶体管P4的源极电连接于节点R，PMOS晶体管P5的源极与PMOS晶体管P6的源极电连接于节点RB； PMOS晶体管P3的漏极、PMOS晶体管P5的漏极与线RBL电连接，PMOS晶体管P4的漏极、PMOS晶体管P6的漏极与线RBLB电连接； 线IL与节点R电连接，线ILB与节点RB电连接； 所述PMOS晶体管P1的漏极、PMOS晶体管P2的栅极、PMOS晶体管P3的栅极、PMOS晶体管P6的栅极、NMOS晶体管N1的漏极、NMOS晶体管N3的漏极、NMOS晶体管N4的栅极与节点Q电连接； 所述PMOS晶体管P1的栅极、PMOS晶体管P2的漏极、PMOS晶体管P4的栅极、PMOS晶体管P5的栅极、NMOS晶体管N2的漏极、NMOS晶体管N3的栅极、NMOS晶体管N4的漏极与节点QB电连接。

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