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龙图腾网获悉北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院申请的专利一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115632078B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211300933.3，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法是由祝连庆;刘炳峰;柳渊;鹿利单;张东亮;郑显通设计研发完成，并于2022-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种基于InAsInAsSb的应变平衡超晶格的制备方法，包括如下步骤：步骤1、对GaSb100衬底进行除气；步骤2、对GaSb100衬底进行脱氧处理；步骤3、在465℃的温度下，在GaSb100衬底上生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5；步骤4、按照20℃min降温速率降温至385℃，并在该温度下生长100个周期的InAsInAsxSb1‑x超晶格，其中，In源炉温度为838.3℃，As源炉温度为380℃，Sb源炉温度为620℃，As与In的五三束流比为6，Sb与In的五三束流比为3.7。本发明通过分子束外延MBE的方法，实现了在GaSb衬底上生长高质量的InAsInAsxSb1‑xⅡ类超晶格结构，超晶格结构由100个周期组成，解决了超晶格应变不平衡的问题。

本发明授权一种基于InAs/InAsSb的应变平衡超晶格的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于InAsInAsSb的应变平衡超晶格的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括如下步骤： 步骤1、对GaSb100衬底进行除气； 步骤2、对GaSb100衬底进行脱氧处理； 步骤3、在465℃的温度下，在GaSb100衬底上生长GaSb缓冲层，其中，Sb与Ga的五三束流比为5； 步骤4、按照20℃min降温速率降温至385℃，并在该温度下生长100个周期的InAsInAsxSb1-x超晶格，其中，In源炉温度为838.3℃，As源炉温度为380℃，Sb源炉温度为620℃，As与In的五三束流比为6，Sb与In的五三束流比为3.7； 步骤1中，对GaSb100衬底进行除气包括如下方法步骤： 将GaSb100衬底传入除气室，经过300℃烘烤除气2-3小时，当除气室压强低于2×10-9mbar且保持稳定状态，完成除气； 步骤2中，对GaSb100衬底进行脱氧处理包括如下方法步骤： 将GaSb100衬底传入生长腔，设置初始温度为100℃，采用20℃min的升温速率至520℃，并维持10min，并且在脱氧过程中打开Sb源炉针阀，在Sb氛围的保护下进行脱氧，衬底托以3rpm的转速旋转。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人北京信息科技大学;广州市南沙区北科光子感知技术研究院，其通讯地址为：100085 北京市海淀区清河小营东路12号北京信息科技大学光电学院；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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