应用材料公司金明宣获国家专利权
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龙图腾网获悉应用材料公司申请的专利用于环绕式栅极纳米片输入/输出装置的共形氧化获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116250075B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202180061102.2，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权用于环绕式栅极纳米片输入/输出装置的共形氧化是由金明宣;迈克尔·斯托尔菲;本杰明·科伦坡;罗源辉设计研发完成，并于2021-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于环绕式栅极纳米片输入/输出装置的共形氧化在说明书摘要公布了：描述水平环绕式栅极器件及制造其的方法。所述hGAA器件包含氧化层，所述氧化层位于半导体材料上，所述半导体材料介于器件的源极区域与漏极区域之间。所述方法包括：介于电子器件的源极区域与漏极区域之间的半导体材料层的自由基等离子体氧化RPO。
本发明授权用于环绕式栅极纳米片输入/输出装置的共形氧化在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，包含以下步骤： 对包含交替布置成多个堆叠对的多个第一层及对应的多个第二层的超晶格结构进行选择性地蚀刻，以去除各所述第二层，以于所述超晶格结构中形成多个空隙，所述多个第一层于源极区域与漏极区域之间延伸并且所述多个第一层的每一个由氧化硅SiOx内间隔物分隔； 预清洁所述多个第一层和氧化硅SiOx内间隔物，以去除原生氧化物和或残留物；和 于所述多个第一层上共形地形成氧化物层，并通过所述多个第一层和所述氧化硅SiOx内间隔物的自由基等离子体氧化RPO将所述氧化硅SiOx内间隔物转化为低k介电内间隔物，所述自由基等离子体氧化在从700°C至900°C的范围内的温度下，在环境压力下的氢H2气及氧O2气的气氛中发生， 其中所述方法是在处理腔室中进行而不破坏真空。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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