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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种集成HJD的SiC UMOSFET器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387362B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310301789.3，技术领域涉及：H10D84/80；该发明授权一种集成HJD的SiC UMOSFET器件及其制备方法是由何艳静;付皓瑜;袁昊;宋庆文;汤晓燕;弓小武;张玉明设计研发完成，并于2023-03-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种集成HJD的SiC UMOSFET器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种集成HJD的SiCUMOSFET器件及其制备方法，包括：金属化漏极、N+衬底区、N‑外延区、N‑csl区、P‑base区、P+埋层、两个P+注入区、N+注入区、P+PolySi区、栅介质层、N‑PolySi栅极和金属化源极。其中，N‑PolySi栅极的深度大于P‑base区，P+埋层和第二P+注入区的深度相同并且大于沟槽深度。源极与第一P+注入区、N+注入区之间的接触界面为欧姆接触，P+PolySi区与N‑外延区的界面为异质结接触。本发明在器件内集成了异质结二极管结构，提高了元胞面积的利用率，进一步减小开启电压，减小了器件的开关损耗，并通过P+埋层和P+注入区提高了器件的耐压能力。

本发明授权一种集成HJD的SiC UMOSFET器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种集成HJD的SiCUMOSFET器件，其特征在于，所述SiCUMOSFET器件的包括从下至上依次层叠设置的金属化漏极13、N+衬底层1、N-外延层2、N-电流扩展区4，N+衬底层1与金属化漏极13之间的接触为欧姆接触； 所述N-电流扩展区4设置沟槽，所述沟槽内设置有栅介质层11，所述栅介质层11的凹槽内设置有N-多晶硅栅极12； 部分所述N-外延层2内和所述N-电流扩展区4下表面的凹槽内设置有P+埋层3，且所述N-电流扩展区4内设置有P-基区8、第一P+注入区9和N+注入区10，其中， 所述N-电流扩展区4和第二P+注入区5分别位于所述栅介质层11的两侧，第二P+注入区5部分设置于所述N-外延层2内、部分设置于所述N-电流扩展区4内，且所述第二P+注入区5的下端将所述栅介质层11下端的一侧的下角包裹； 所述P+埋层3处于所述N-电流扩展区4的下方，所述P+埋层3将所述栅介质层11下端的另一侧的下角包裹； 所述P-基区8位于剩余的所述N-电流扩展区4的上方，所述第一P+注入区9和所述N+注入区10位于所述P-基区8上方，且所述N+注入区10位于所述栅介质层11和所述第一P+注入区9之间；在所述第一P+注入区9和所述N+注入区10上设置有金属化源极14； 在所述沟槽底部设置有P+多晶硅区7，且所述P+多晶硅区7的两侧和上方设置有所述栅介质层11，所述P+多晶硅区7的下端与所述N-外延层2直接接触形成异质结接触，并通过通孔连接到所述金属化源极14； 所述金属化源极14与所述P+多晶硅区7、所述第一P+注入区9、所述N+注入区10之间的接触为欧姆接触。

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