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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华(天津)半导体材料有限公司申请的专利一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116387396B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210931403.2，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法是由李明达;傅颖洁;居斌;边娜;刘云;翟玥设计研发完成，并于2022-08-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法，通过在硅衬底片装片前，设计对反应腔体以及石墨基座多次进行氯化氢气体的刻蚀和多晶硅包覆层的循环清洁过程，净化了反应腔体的生长环境，并且通过在硅外延层生长过程中精确调节工艺氢气的流量、三氯氢硅的流量、硅外延层反应生长的温度工艺参数，显著降低硅外延层的生长速率，从而延长薄层硅外延层的反应过程，扩大稳态生长阶段的占比，实现薄层高阻硅外延层的高均匀性分布，最终获得一种硅外延层厚度在1μm量级的薄层高阻硅外延层的制备方法，工艺简单，兼容性强，大大提升生产效率，节省生产成本，适合工业化连续生产，满足光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的生产订单交付要求。

本发明授权一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种光电倍增管器件用薄层高阻硅外延片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤1、反应腔体为常压反应腔体，将反应腔体升温设为1130~1150℃，通入氯化氢气体对反应腔体及石墨基座进行刻蚀，氯化氢气体流量设为18~20Lmin，刻蚀时间设为1~2min； 步骤2、反应腔体降温至1110~1130℃，通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料，氢气流量设为330~350Lmin，气态三氯氢硅的流量设为30~33Lmin，在反应腔体的石墨基座上沉积多晶硅包覆层，沉积时间设为60~80sec； 步骤3、反应腔体升温至1130~1150℃，通入氯化氢气体对反应腔体及石墨基座进行刻蚀，氯化氢气体流量设为18~20Lmin，刻蚀时间设为1~2min； 步骤4、反应腔体降温至1110~1130℃，通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料，氢气流量设为330~350Lmin，气态三氯氢硅的流量设为30~33Lmin，在反应腔体的石墨基座上沉积多晶硅包覆层，沉积时间设为60~80sec； 步骤5、反应腔体升温至1130~1150℃，通入氯化氢气体对反应腔体及石墨基座进行刻蚀，氯化氢气体流量设为18~20Lmin，刻蚀时间设为1~2min； 步骤6、反应腔体降温至1110~1130℃，通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料，氢气流量设为330~350Lmin，气态三氯氢硅的流量设为30~33Lmin，在反应腔体的石墨基座上沉积多晶硅包覆层，沉积时间设为60~80sec； 步骤7、反应腔体降温至40~60℃，将硅衬底片装在反应腔体的石墨基座的片坑内，反应腔体升温至1130~1150℃，氢气流量设为330~350Lmin，采用氢气对硅衬底片的抛光表面进行高温烘烤，烘烤时间设为120~180sec； 步骤8、反应腔体降温至1090~1110℃，通入氢气携带的气态三氯氢硅作为生长原料，在硅衬底片的抛光表面上进行硅外延层的生长，形成硅外延片，氢气流量设为330~350Lmin，气态三氯氢硅流量设为3~5Lmin，硅外延层生长速率设为0.3~0.4μmmin； 步骤9、反应腔体温度降低至40~60℃，将硅外延片从石墨基座的片坑内取出。

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