中国科学院上海技术物理研究所王林获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院上海技术物理研究所申请的专利蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116404063B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310325811.8，技术领域涉及：H10F30/222；该发明授权蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器及制备方法是由王林;张凯旋;张力波;姜梦杰;陈效双设计研发完成，并于2023-03-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器及制备方法。器件制备步骤主要通过机械剥离、紫外光刻、热蒸发镀膜、定点转移和超声引线等工艺形成蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器。器件结构自下而上依次为：第一层是本征硅衬底、第二层是氧化物层、第三层是拓扑半金属硒碲镍和蝶形天线电极、第四层是拓扑半金属石墨烯。通过集成蝶形天线并构筑拓扑半金属垂直异质结方式构成的太赫兹探测器，可以调节拓扑半金属材料量子态的拓扑特征，并借助蝶形天线达到聚焦太赫兹光场和提高材料光吸收的目的，最终实现室温下太赫兹探测和成像功能。本发明的优点是探测器的响应速度快、室温下自驱动工作、噪声等效功率小和便于集成。
本发明授权蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蝶形天线集成的拓扑半金属太赫兹探测器，包括本征硅衬底1、氧化物层2、硒碲镍3、蝶形天线电极源端4、蝶形天线电极漏端5、石墨烯6，其特征在于： 所述太赫兹探测器的结构自下而上为：第一层是本征硅衬底1、第二层是氧化层2、第三层是拓扑半金属硒碲镍3以及接触硒碲镍上的蝶形天线电极源端4和未接触硒碲镍上的蝶形天线电极漏端5、第四层是石墨烯6； 所述的衬底1为本征高阻硅衬底； 所述的氧化物层2为二氧化硅； 所述的拓扑半金属硒碲镍3为硒碲镍纳米薄片； 所述的蝶形天线电极源端4和蝶形天线电极漏端5为金属复合电极，下层金属为铬，上层金属为金； 所述的石墨烯6为多层。
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