西安电子科技大学薛军帅获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116406167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310141307.2，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法是由薛军帅;李祖懋;吴冠霖;袁金渊;孙文博;郭壮;赵澄;刘仁杰;张进成;郝跃设计研发完成，并于2023-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法，主要解决现有氮化物非易失性存储器耐久性差、延迟高和漏电大的问题。其自下而上包括衬底、成核层、沟道层、浮栅层、第一势垒层、第一量子阱层、第二势垒层、隔离层、栅极接触层；该第一势垒层、第一量子阱层和第二势垒层构成第一共振隧穿二极管，第二势垒层与隔离层之间设有串联层、第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层，该第三势垒层、第二量子阱层和第四势垒层构成第二共振隧穿二极管，浮栅层两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层上设有栅电极，形成三极管结构器件。本发明能增加写入和擦除的电流差，减小延迟和漏电，易实现多值逻辑状态，可用于高密度存储和多值逻辑电路。
本发明授权氮化物非易失性的多值逻辑存储器及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种氮化物非易失性的多值逻辑存储器，自下而上，包括衬底1、成核层2、沟道层3、浮栅层4、第一势垒层5、第一量子阱层6、第二势垒层7、隔离层12、栅极接触层13，该第一量子阱层6、第二势垒层7和第一势垒层5构成第一共振隧穿二极管；其特征在于： 所述第二势垒层7与隔离层12之间依次设有串联层8、第三势垒层9、第二量子阱层10和第四势垒层11，通过改变串联层厚度和掺杂来改变串联电阻进而调控微分负阻峰值间距；该第三势垒层9、第二量子阱层10和第四势垒层11构成第二共振隧穿二极管，并与第一共振隧穿二极管串联； 所述浮栅层4两侧设有源电极和漏电极，栅极接触层13上设有栅电极，栅电极到成核层2的外部包裹有钝化层14，形成三极管结构； 通过两个共振隧穿二极管垂直输运电流和三极管横向输运电流，实现存储器输出状态的调控。
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