中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司张慧获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117276048B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210662913.4，技术领域涉及：H10P90/00；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张慧;张伟;石强;高长城设计研发完成，并于2022-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供衬底结构，所述衬底结构包括标记区，所述标记区包括硅衬底，所述硅衬底上包括第一介质层；在所述第一介质层和所述硅衬底中形成第一开口；在所述第一开口的部分底部形成第一标记结构，且所述第一标记结构的底面与所述硅衬底的底面共面；在所述第一开口中形成第二介质层，且所述第二介质层和所述第一介质层的表面平齐；在所述第一标记结构上方的所述第二介质层中或者所述第二介质层上形成第二标记结构，且所述第二标记结构的正投影落在所述第一标记结构上。本申请的半导体结构及其形成方法能够提高标记结构的识别率。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底结构，所述衬底结构包括标记区，所述标记区包括硅衬底，所述硅衬底上包括第一介质层； 在所述第一介质层和所述硅衬底中形成第一开口； 在所述第一开口的部分底部形成第一标记结构，且所述第一标记结构的底面与所述硅衬底的底面共面； 在所述第一开口中形成第二介质层，且所述第二介质层和所述第一介质层的表面平齐； 在所述第一标记结构上方的所述第二介质层中或者所述第二介质层上形成第二标记结构，且所述第二标记结构的正投影落在所述第一标记结构上。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(北京)有限公司;中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区文昌大道18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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