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龙图腾网获悉昆明理工大学申请的专利一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118206123B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410147733.1，技术领域涉及：C01B33/039；该发明授权一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法是由杨时聪;魏奎先;马文会;太劲松;韩士锋设计研发完成，并于2024-02-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法，属于硅资源综合利用技术领域。针对硅片切割废料含金属杂质元素种类多和粒度细小及难以成型的特点，本发明通过将金刚石线切割硅片的废浆料制备成低水低氧的硅片切割废料滤饼；硅片切割废料滤饼经干燥脱水，将硅片切割废料颗粒和氯化剂混合均匀得到混合料，将混合料置于氯化装置中加热，升温至预设温度Ⅰ形成熔盐体系并经低温氯化反应得到低温氯化混合物；低温氯化混合物继续升温至预设温度Ⅱ并进行高温熔炼，得到下层硅熔体和上层氯化剂熔盐液相，分离出上层氯化剂熔盐液相，下层硅熔体继续高温精炼得到再生高纯硅。本发明的原料适应性强、设备要求简单、操作流程短、产品附加值高。

本发明授权一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法在权利要求书中公布了：1.一种硅片切割废料制备再生高纯硅的方法，其特征在于，具体步骤如下： 1金刚石线切割硅片的废浆料制备成低水低氧的硅片切割废料滤饼，所述硅片切割废料滤饼中水份质量含量不高于40%，氧元素质量含量不高于7%； 2在真空或保护性气体氛围下，硅片切割废料滤饼经干燥脱水，得到无水硅片切割废料颗粒； 3将硅片切割废料颗粒和氯化剂混合均匀得到混合料，将混合料进行造粒得到混合物颗粒，混合物颗粒置于氯化装置中加热，升温至预设温度Ⅰ形成熔盐体系并进行低温氯化反应0.5~5h得到低温氯化混合物；所述氯化剂为氯化钠、氯化钙、氯化镁、氯化钡、氯化钾中的一种或多种，硅片切割废料颗粒和氯化剂的质量比为100:1~10；所述氯化剂为单一化合物时，预设温度Ⅰ高于氯化剂的熔融温度且低于硅的熔点温度，所述氯化剂为两种或两种以上化合物的混合物时，预设温度Ⅰ高于氯化剂混合熔盐体系的共晶温度且低于硅的熔点温度； 4低温氯化混合物继续升温至预设温度Ⅱ并进行高温熔炼0.5~5h，得到下层硅熔体和上层氯化剂熔盐液相，分离出上层氯化剂熔盐液相，下层硅熔体继续高温精炼0.5~48h得到再生高纯硅，所述预设温度Ⅱ高于硅的熔点温度。

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