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龙图腾网获悉长鑫存储技术有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119110578B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310645342.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由陈俊设计研发完成，并于2023-05-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括衬底和存储结构，衬底上设置有第一接触垫，第一接触垫包括第一类接触垫和第二类接触垫；存储结构设置于衬底上，存储结构包括层叠设置的第一电容和第二电容，其中，相邻的第一电容之间设置有连接插塞，第一电容与第一类接触垫连接，第二电容通过连接插塞与第二类接触垫连接；连接插塞的横截面积小于第一电容的横截面积。本公开的半导体结构可以在避免相邻电容之间的短路以及电容自身断路的同时，增大第一电容和第二电容的关键尺寸并降低第一电容和第二电容的深宽比，从而提高电容量，进而在保证半导体结构的良率的同时提高半导体结构的性能。

本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于， 所述半导体结构包括： 衬底，所述衬底上设置有第一接触垫，所述第一接触垫包括第一类接触垫和第二类接触垫； 存储结构，设置于所述衬底上，所述存储结构包括层叠设置的第一电容和第二电容，其中，相邻的所述第一电容之间设置有连接插塞，所述第一电容与所述第一类接触垫连接，所述第二电容通过所述连接插塞与所述第二类接触垫连接； 所述第一电容和所述第二电容之间设置有隔离层，所述隔离层中设置有第二接触垫，至少部分所述第二接触垫将所述连接插塞与所述第二电容连接，所述第二接触垫的顶面与所述隔离层的顶面平齐； 所述存储结构还包括包覆所述第一电容和所述连接插塞的第一导电层，以及包覆所述第二电容的第二导电层，所述第一导电层和所述第二导电层在所述第一电容以及所述第二电容的最外周相接触； 隔离层包括第一隔离材料层和第二隔离材料层，所述第一隔离材料层覆盖所述第一导电层的顶面和所述连接插塞的部分侧壁，所述第二隔离材料层仅覆盖所述第一隔离材料层并暴露出所述第二接触垫的全部顶面； 所述连接插塞的横截面积小于所述第一电容的横截面积。

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