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龙图腾网获悉上饶晶科能源叁号智造有限公司;浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池及光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119133292B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411215347.8，技术领域涉及：H10F10/10；该发明授权太阳能电池及光伏组件是由金井升;张彼克;杨楠楠设计研发完成，并于2024-08-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本太阳能电池及光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及太阳能电池领域，提供一种太阳能电池及光伏组件，太阳能电池包括：基底，基底的表面具有交替排布的金属区以及非金属区；半导体掺杂层，半导体掺杂层位于金属区对应的基底表面，半导体掺杂层内具有P型掺杂元素；第一隧穿介质层，第一隧穿介质层位于非金属区对应的基底表面；第一多晶硅层，第一多晶硅层位于第一隧穿介质层表面，至少部分的第一多晶硅层内掺杂有铝元素；第一钝化层，第一钝化层位于半导体掺杂层的表面以及第一多晶硅层的表面；第一电极，第一电极位于金属区对应的第一钝化层表面，且第一电极与半导体掺杂层电连接。本申请实施例提供的太阳能电池及光伏组件至少可以提升电池的光电转换效率。

本发明授权太阳能电池及光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 基底，所述基底的表面具有交替排布的金属区以及非金属区； 半导体掺杂层，所述半导体掺杂层位于所述金属区对应的所述基底表面，所述半导体掺杂层内具有P型掺杂元素； 第一隧穿介质层，所述第一隧穿介质层位于所述非金属区对应的所述基底表面； 第一多晶硅层，所述第一多晶硅层位于所述第一隧穿介质层表面，至少部分的所述第一多晶硅层内掺杂有铝元素；所述第一多晶硅层包括：第一多晶硅部分，所述第一多晶硅部分位于所述第一隧穿介质层的部分表面，所述第一多晶硅部分内掺杂有所述铝元素； 第二多晶硅部分，所述第二多晶硅部分与所述第一多晶硅部分相邻接且位于所述第一隧穿介质层的其余部分表面，所述第二多晶硅部分内掺杂有所述P型掺杂元素，第二多晶硅部分内所述P型掺杂元素的浓度小于或等于所述半导体掺杂层内所述P型掺杂元素的浓度； 第一钝化层，所述第一钝化层位于所述半导体掺杂层的表面以及所述第一多晶硅层的表面； 第一电极，所述第一电极位于所述金属区对应的所述第一钝化层表面，且所述第一电极与所述半导体掺杂层电连接。

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