浙江晶科能源有限公司方灵新获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江晶科能源有限公司申请的专利太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511918342.6，技术领域涉及：H10F77/14；该发明授权太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件是由方灵新;张远方;王钊;郑霈霆;杨洁;张昕宇;顾文贤设计研发完成，并于2025-12-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件在说明书摘要公布了：本申请实施例涉及光伏领域，提供一种太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件，该太阳能电池包括：硅基底，包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面包括沿第一方向交替排布的第一区域和第二区域，第二区域包括沿第二方向排布第一子区域和第二子区域；第一区域包括第一掺杂区，第一子区域包括第二掺杂区，第二子区域包括第三掺杂区，第二掺杂区的掺杂浓度大于第三掺杂区的掺杂浓度；第一金属栅线，与第一掺杂区电连接。本申请实施例提供的太阳能电池至少有利于改善现有技术中硅基体会产生弯曲导致碎片率较高以及氮化硅等沉积厚度均匀性不佳的问题。
本发明授权太阳能电池、其制备方法、叠层电池和光伏组件在权利要求书中公布了：1.一种太阳能电池，其特征在于，包括： 硅基底，包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面包括沿第一方向交替排布的第一区域和第二区域，所述第二区域包括沿第二方向排布第一子区域和第二子区域，所述第一方向与所述第二方向交叉； 所述第一区域包括第一掺杂区，所述第一子区域包括第二掺杂区，所述第二子区域包括第三掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂浓度大于所述第三掺杂区的掺杂浓度； 第一金属栅线，与所述第一掺杂区电连接， 所述第二子区域到所述第二表面的距离为h1，所述第一子区域到所述第二表面的距离为h2，其中，h1＜h2。
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