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福建华清电子材料科技有限公司冯家伟获国家专利权

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龙图腾网获悉福建华清电子材料科技有限公司申请的专利一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN121651944B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202610178521.9,技术领域涉及:C04B35/581;该发明授权一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法是由冯家伟;施俊男设计研发完成,并于2026-02-09向国家知识产权局提交的专利申请。

一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及氮化铝基板技术领域,具体涉及一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法,包括如下步骤:步骤一:原料准备与浆料配制;步骤二:浆料混合与塑化;步骤三:真空脱泡与陈化;步骤四:流延成型;步骤五:干燥;步骤六:生坯片剥离与裁剪;步骤七:排胶与烧结,通过对氮化铝粉末进行分体包裹工艺,使氮化铝颗粒外表面附着一层超薄覆膜,在进行流延工艺时,可以使用水基溶剂而不会导致氮化铝颗粒水解,相比于有机溶剂价格更低,使生产成本更低,同时减少生产加工时对环境的破坏,并避免生产人员接触有毒的有机溶剂,安全性更高。

本发明授权一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法在权利要求书中公布了:1.一种水基流延工艺的氮化铝基板制备方法,其特征在于:包括如下步骤: 步骤一:原料准备与浆料配制,将高纯度的氮化铝粉体进行粉体包裹工艺处理,获得包裹氮化铝粉,将包裹氮化铝粉与烧结助剂按比例精确称量,将其分散于水基溶剂中,通过球磨或搅拌进行初级分散,所述粉体包裹工艺包括如下步骤: S1:准备原料,选取高纯度的氮化铝粉体、N-乙烯基吡咯烷酮-衣康酸共聚物、乙醇; S2:溶液配置,将N-乙烯基吡咯烷酮-衣康酸共聚物溶解于乙醇中,形成聚合物溶液; S3:浸渍涂覆,将氮化铝粉体加入上述溶液中,通过超声波分散设备进行超声分散工艺,使氮化铝粉体被溶液完全浸润; S4:干燥固化,通过喷雾干燥机喷雾干燥方式去除溶剂,使聚合物在粉体表面成膜固化,获得带有聚合物膜的氮化铝粉体; S5:将带有聚合物膜的氮化铝粉体送入真空烘箱内进行后烘干步骤,得到包裹氮化铝粉; 所述将带有聚合物膜的氮化铝粉体送入真空烘箱内进行后烘干步骤,得到成品包裹氮化铝粉,之后还包括二次包覆工艺覆膜,所述二次包覆工艺包括如下步骤: Q1:准备二次包覆工艺原料,包括包裹氮化铝粉、乙醇、去离子水、氨水、正硅酸乙酯,并将正硅酸乙酯与去离子水与乙醇进行混合得到含有正硅酸乙酯的乙醇溶液,并将去离子水与剩余乙醇混合,得到分散液; Q2:分散,将包裹氮化铝粉超声分散在分散液中; Q3:水解,在搅拌下,滴加氨水调节pH至碱性; Q4:缩聚,缓慢滴加含有正硅酸乙酯的乙醇溶液,在恒温下持续搅拌数小时,使正硅酸乙酯在包裹氮化铝粉表面水解并缩合形成SiO2溶胶层; Q5:离心分离,用乙醇洗涤数次以去除杂质,然后在80-120℃下干燥,获得二次覆膜氮化铝粉; 步骤二:浆料混合与塑化,在充分分散的浆料中,依次加入粘结剂和增塑剂,进行12小时-24小时的球磨; 步骤三:真空脱泡与陈化,将混合均匀的浆料置于真空脱泡设备中,去除搅拌和球磨过程中引入的气泡,随后,将浆料在恒温条件下静置陈化12小时-48小时; 步骤四:流延成型,调整流延机参数,将陈化后的浆料倒入流延机料斗,在匀速运动的载膜上通过刮刀或模具,形成连续、厚度均匀的湿膜; 步骤五:干燥,湿膜随载膜进入干燥区,在受控的温度和湿度条件下,使溶剂缓慢挥发; 步骤六:生坯片剥离与裁剪,完全干燥后,形成具有一定强度和柔韧性的生坯带,将其从载膜上剥离,使用精密冲片机或激光切割机进行裁剪,得到特定尺寸的生坯片; 步骤七:排胶与烧结,将生坯片置于烧结炉中,首先进行排胶处理,在空气或保护气氛下,以精确控制的升温速率加热至400-600℃,并保温足够时间,使坯体内的有机添加剂完全分解、挥发,随后,在高温、惰性或还原性气体填充的环境下进行烧结,使氮化铝颗粒致密化,形成氮化铝陶瓷基板。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人福建华清电子材料科技有限公司,其通讯地址为:362200 福建省泉州市晋江市经济开发区(五里园)灵石路2号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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