山东省科学院激光研究所唐先胜获国家专利权
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龙图腾网获悉山东省科学院激光研究所申请的专利一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121710049B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610208974.1，技术领域涉及：H01S5/11；该发明授权一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法是由唐先胜;苗腾;王斐冉;李立;王兆伟;张伟力设计研发完成，并于2026-02-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及芯片制备技术领域，并提供一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法。制备方法包括：在衬底上生长成核层；在成核层背离衬底的一侧生长超晶格结构；在超晶格结构背离成核层的一侧依次生长n型包覆层、n型波导层、量子阱和p型电子阻挡层；在p型电子阻挡层上刻蚀多个环形腔体，形成环形光子晶体；在p型电子阻挡层背离量子阱的一侧生长p型扩展接触层；进行原位退火处理。该制备方法能够有效调整光子带隙的方向性，可以形成侧面全方位的均匀光波，从而抑制激光从侧面非出光区域的泄漏，提高出光效率，而且环形光子晶体周期性分布，有效保证光束质量。
本发明授权一种基于环形光子晶体的芯片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于环形光子晶体的芯片的制备方法，其特征在于，包括： 在衬底上生长成核层；所述成核层的生长温度为第一温度； 在所述成核层背离所述衬底的一侧生长超晶格结构；其中，所述超晶格结构的生长温度为第二温度，所述第一温度低于所述第二温度，所述超晶格结构包括周期设置的AlN层和AlGaN层；所述AlN层和所述AlGaN层的厚度相同； 在所述超晶格结构背离所述成核层的一侧生长依次n型包覆层、n型波导层、量子阱和p型电子阻挡层； 在所述p型电子阻挡层上刻蚀多个环形腔体，形成环形光子晶体；其中，所述环形腔体的中心与所述p型电子阻挡层的中心重合，所述环形腔体的刻蚀方向与所述p型电子阻挡层的生长方向相反；多个所述环形腔体间隔设置，多个所述环形腔体的深度大于零且小于或等于所述p型电子阻挡层与所述量子阱的厚度的和； 在所述p型电子阻挡层背离所述量子阱的一侧生长p型扩展接触层； 进行原位退火处理。
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