合肥芯科电子材料有限公司陈秀山获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥芯科电子材料有限公司申请的专利一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121759955B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610243468.6，技术领域涉及：C23F1/18；该发明授权一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液及其制备方法是由陈秀山;张建元;凌礼照;徐鹏;汪涛;周佳纬设计研发完成，并于2026-03-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液及其制备方法，涉及半导体显示面板制造技术领域。所述一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液，蚀刻液由以下原料组成：双氧水、络合剂、2,4‑二氯苯氧乙酸、乙二胺四乙酸、缓蚀复配剂，加超纯水补足；缓蚀复配剂为2‑巯基‑5‑甲基苯并咪唑与氨基三甲基膦酸按照质量比1:2‑3混合得到，且乙二胺四乙酸与缓蚀复配剂添加量比值≤1.2。本发明采用络合剂‑缓蚀复配剂协同的体系，IGZO层损伤率＜5%，显著提升器件良率，且Cu蚀刻速率为500‑800Åmin、MoTi蚀刻速率为300‑500Åmin，速率匹配性好。
本发明授权一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种无F一剂型低IGZO损伤金属蚀刻液，其特征在于，以质量百分比计，所述蚀刻液由以下原料组成：双氧水5%-20%、络合剂2%-4%、2,4-二氯苯氧乙酸0.4%-1%、乙二胺四乙酸0.6%-2%、缓蚀复配剂0.5%-1.6%，加超纯水补足100%； 所述缓蚀复配剂为2-巯基-5-甲基苯并咪唑与氨基三甲基膦酸按照质量比1:2-3混合得到，且乙二胺四乙酸与缓蚀复配剂的质量比≤1.2。
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