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龙图腾网获悉深圳辰达半导体有限公司申请的专利一种小尺寸低寄生电容ESD器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121778659B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610255443.8，技术领域涉及：B81B7/00；该发明授权一种小尺寸低寄生电容ESD器件及其制备方法是由马奕勉;马奕俊设计研发完成，并于2026-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种小尺寸低寄生电容ESD器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体及其制备技术领域，具体公开了一种小尺寸低寄生电容ESD器件及其制备方法，所述ESD器件依次包括半导体衬底；缓冲绝缘层；浮空栅屏蔽层，为完全电隔离且不与任何金属电极连接的轻掺杂N型多晶硅层，覆盖所述有源区面积的80%‑90%，用于在静电放电过程中形成自适应电位以抑制寄生电容；隔离介质层；肖特基二极管有源层；金属互连层和钝化保护层；本发明通过在ESD二极管有源结区与MEMS传感芯体之间引入浮空多晶硅栅结构，利用浮空栅在电场作用下形成的自适应电位调制效应，对PN结与衬底之间的电场进行重新分布，从而有效削弱ESD器件对MEMS传感结构的寄生电容耦合，使得ESD器件在微小版图面积内仍可满足MEMS芯内集成的低扰动要求。

本发明授权一种小尺寸低寄生电容ESD器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种小尺寸低寄生电容ESD器件，其特征在于，所述ESD器件在同一P型单晶硅衬底上自下而上依次包括： 半导体衬底，为晶向为100的P型单晶硅衬底，电阻率为10-20Ω·cm，所述ESD器件的有源区版图尺寸不大于30×30μm2； 缓冲绝缘层，形成于所述半导体衬底表面，为通过热氧化工艺生长的二氧化硅层，其厚度为25nm±2nm，用于降低所述衬底与上层结构之间的寄生耦合； 浮空栅屏蔽层，形成于所述缓冲绝缘层之上，为完全电隔离且不与任何金属电极连接的轻掺杂N型多晶硅层，其厚度为65nm±3nm，掺杂元素为磷，掺杂浓度为8×1016cm-3，覆盖所述有源区面积的80%-90%，用于在静电放电过程中形成自适应电位以抑制寄生电容； 隔离介质层，覆盖所述浮空栅屏蔽层，为PECVD沉积形成的二氧化硅层，其厚度为35nm±2nm，用于实现所述浮空栅屏蔽层与有源层之间的电隔离； 肖特基二极管有源层，形成于所述隔离介质层之上； 金属互连层，形成于所述肖特基二极管有源层之上，包括按顺序沉积的Ti粘附层、Ni阻挡层和Au导电层； 钝化保护层，覆盖所述金属互连层，为PECVD沉积的氮化硅层，仅在金属引出端位置设置开口。

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