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龙图腾网获悉首尔伟傲世有限公司申请的专利垂直型发光二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112018220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911376837.5，技术领域涉及：H10H20/831；该发明授权垂直型发光二极管是由李俊熙设计研发完成，并于2019-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本垂直型发光二极管在说明书摘要公布了：一种发光二极管，包括：支承基板；第一导电型半导体层；上绝缘层，位于第一导电型半导体层上；台面，包括活性层以及第二导电型半导体层，并位于第一导电型半导体层的一部分区域下方以使第一导电型半导体层的边缘暴露，台面包括使第一导电型半导体层暴露的第二贯通孔；第一电极，包括通过第一贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第一接触部以及通过第二贯通孔而与第一导电型半导体层电接通的第二接触部；第二电极，与第二导电型半导体层电接通；以及至少一个上电极焊盘，与第二电极接通，第一贯通孔布置在被台面的边缘围绕的区域内，各个第二贯通孔的一部分被活性层以及第二导电型半导体层围绕并沿着台面的边缘布置，上绝缘层包括多个物质层。

本发明授权垂直型发光二极管在权利要求书中公布了：1.一种发光二极管，包括： 支承基板； 第一导电型半导体层，布置在所述支承基板上方； 上绝缘层，位于所述第一导电型半导体层上； 台面，包括活性层以及第二导电型半导体层，并位于所述第一导电型半导体层的一部分区域下方以使所述第一导电型半导体层的边缘暴露，所述台面包括贯通所述第二导电型半导体层以及活性层而使所述第一导电型半导体层暴露的多个第一贯通孔以及多个第二贯通孔； 第一电极，布置在所述第二导电型半导体层和所述支承基板之间，并且包括通过所述第一贯通孔而与所述第一导电型半导体层电接通的第一接触部以及通过所述第二贯通孔而与所述第一导电型半导体层电接通的第二接触部； 第二电极，布置在所述第一电极和所述第二导电型半导体层之间而与所述第二导电型半导体层电接通；以及 至少一个上电极焊盘，与所述第一导电型半导体层相邻而与所述第二电极接通， 所述多个第一贯通孔中的每一个被活性层以及第二导电型半导体层围绕并布置在被所述台面的边缘围绕的区域内，所述多个第一贯通孔按一定间隔排列并与所述台面的边缘隔开， 所述多个第二贯通孔中的每一个的仅一部分被所述活性层以及第二导电型半导体层围绕并沿着所述台面的边缘布置，所述多个第二贯通孔中的每一个从所述台面的边缘向所述台面的内侧凹入， 所述上绝缘层包括多个物质层。

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