格芯(美国)集成电路科技有限公司夫厚尔·杰恩获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利具有包覆式基极层的双极结型晶体管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114944427B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210040374.0，技术领域涉及：H10D10/80；该发明授权具有包覆式基极层的双极结型晶体管是由夫厚尔·杰恩;J·R·霍尔特;塔耶尔·内谢瓦特;J·J·派卡里克;克里斯多佛·杜尔詹设计研发完成，并于2022-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有包覆式基极层的双极结型晶体管在说明书摘要公布了：本申请涉及具有包覆式基极层的双极结型晶体管，揭示了双极结型晶体管的装置结构及制造方法。该装置结构包括衬底以及位于该衬底中的沟槽隔离区。该沟槽隔离区围绕该衬底的主动区。该装置结构还包括位于该衬底的该主动区中的集电极，具有设置于该主动区上的第一区段以及相对于该第一区段以一角度取向的第二区段的基极层，设置于该基极层的该第一区段上的发射极，以及设置于该沟槽隔离区上方并邻近该发射极的非本征基极层。该基极层的该第二区段侧向设置于该非本征基极层与该发射极间。
本发明授权具有包覆式基极层的双极结型晶体管在权利要求书中公布了：1.一种用于双极结型晶体管的装置结构，其特征在于，该装置结构包括： 衬底； 沟槽隔离区，位于该衬底中，该沟槽隔离区围绕该衬底的主动区； 集电极，位于该衬底的该主动区中； 基极层，包括设置于该主动区上的第一区段以及相对于该第一区段以一角度取向的第二区段； 发射极，设置于该基极层的该第一区段上；以及 非本征基极层，设置于该沟槽隔离区上方并邻近该发射极， 其中，该基极层的该第二区段侧向设置于该非本征基极层与该发射极间，且该基极层包括邻近该发射极并在该非本征基极层上方设置的第三区段。
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