南亚科技股份有限公司吴忠育获国家专利权
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龙图腾网获悉南亚科技股份有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114999997B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-04-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110591840.X，技术领域涉及：H10W10/17；该发明授权半导体结构及其形成方法是由吴忠育;曾自立;林俐齐设计研发完成，并于2021-05-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体结构及其形成方法，半导体结构的形成方法包括：在半导体基板上形成栅极结构，其中半导体基板具有浅沟槽隔离、绝缘衬垫及导体；在栅极结构上形成牺牲层；在半导体基板、栅极结构的侧壁以及牺牲层的侧壁上形成绝缘层；在绝缘层上形成间隔件，间隔件位于浅沟槽隔离与栅极结构的侧壁上；在半导体基板与间隔件上形成层间介电层；去除牺牲层；以脉冲等离子体蚀刻层间介电层、绝缘层以及半导体基板以形成第一接触开口及第二接触开口，其中间隔件的侧壁从第一接触开口中裸露，并且在蚀刻期间，在间隔件的侧壁上形成聚合物层与蚀刻聚合物层。借此，由于脉冲等离子体具有间歇开关频率的特性，间隔件可避免损坏并提供足够保护效果。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包含： 半导体基板，其内具有浅沟槽隔离； 绝缘衬垫，位于所述半导体基板的所述浅沟槽隔离中； 栅极结构，位于所述半导体基板的所述浅沟槽隔离上； 间隔件，位于所述浅沟槽隔离上与所述栅极结构的侧壁上； 绝缘层，位于所述半导体基板上且位于所述栅极结构的所述侧壁与所述间隔件之间； 层间介电层，位于所述半导体基板与所述间隔件上，其中在以脉冲等离子体蚀刻所述层间介电层、所述绝缘层以及所述半导体基板的蚀刻期间，在所述间隔件的侧壁上形成聚合物层与蚀刻所述聚合物层； 第一金属接触，位于所述层间介电层及所述绝缘层中，其中所述第一金属接触接触所述间隔件的所述侧壁，且所述间隔件的所述侧壁沿垂直方向延伸；以及 第二金属接触，位于所述浅沟槽隔离、所述绝缘衬垫、所述绝缘层以及所述层间介电层中。
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